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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION DIODE ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION DIODE Features Small Package Low forward voltage :VF(3)=0.98(Typ) Fast reverse recovery time :trr =1.6ns(Typ) Small total capacitance :CT=0.5pF(Typ) | KEXIN 科信电子 |   | ||
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE Features • Low forward voltage • Fast Reverse Recovery Time • Small Total Capacitance Application • Ultra high speed switching | SEMTECH_ELEC 先之科半导体 | | ||
Ultra High Speed Switching Application Ultra High Speed Switching Application • Small package • Low forward voltage : VF (3) = 0.98V (typ.) • Fast reverse recovery time : trr= 1.6ns (typ.) • Small total capacitance : CT= 0.5pF (typ.) | TOSHIBA 东芝 | | ||
Silicon Epitaxial Planar Switching Diode Features • Low forward voltage • Fast Reverse Recovery Time • Small TotalCapacitance Application • Ultra high speed switching | SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司 | | ||
Ultra High Speed Switching Application 文件：203.48 Kbytes Page：3 Pages | TOSHIBA 东芝 | |
1SS352(TH3,F,T)产品属性
- 类型
描述
- 型号
1SS352(TH3,F,T)
- 功能描述
二极管 - 通用，功率，开关 Vr=80V If=0.1A 2Pin
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 产品
Switching Diodes
- 峰值反向电压
600 V
- 正向连续电流
200 A
- 最大浪涌电流
800 A
- 恢复时间
2000 ns
- 正向电压下降
1.25 V
- 最大反向漏泄电流
300 uA
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
ISOTOP
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SHIKUES(时科) |
24+ |
SOD323 |
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23+ |
SOD123 |
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TOSHIBA |
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原装现货 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
2023+ |
SOD323 |
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TOSHIBA |
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NA |
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TOSHIBA |
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1SS352(TH3,F,T)芯片相关品牌
1SS352(TH3,F,T)规格书下载地址
1SS352(TH3,F,T)参数引脚图相关
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2019-11-16
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