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DIODE (LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)

Low Voltage High Speed Switching • Low forward voltage : VF (3) = 0.54V (typ.) • Low reverse surrent : IR = 5μA (max) • Small package : SC−59

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE

Features • Small surface mounting type • Low reverse current • Low forward voltage

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半导体先之科半导体科技(东莞)有限公司

SEMTECH_ELEC

LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING

Features • Small package • Low forward voltage: VF(3) = 0.54 V(Typ). • Low reverse current: IR = 5 A(Max).

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

Low Voltage High Speed Switching

Low Voltage High Speed Switching • Low forward voltage : VF (3) = 0.54V (typ.) • Low reverse surrent : IR = 5μA (max) • Small package : SC−59

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

Low Voltage High Speed Switching

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TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-8-5 21:28:01
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