型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
1N6104AUS

500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US)

Description Quick reference data VBR MIN = 6.12 -180V VRWM = 5.2 - 152V VC (max) = 11 - 273V I(BR) 1N6102 - 1N6137 = 5mA - 175mA These products are qualified to MIL-PRF-19500/516 and are preferred parts as listed in MIL-HDBK-5961. They can be supplied fully released as JANTX and JANTXV versi

SEMTECHSemtech Corporation

升特

SEMTECH
1N6104AUS

封装/外壳:SQ-MELF 包装:散装 描述:TVS DIODE 5.7VWM 11.2VC 电路保护 TVS - 二极管

SEMTECHSemtech Corporation

升特

SEMTECH
1N6104AUS

封装/外壳:SQ-MELF,B 包装:散装 描述:TVS DIODE 6.2VWM 12.1VC SQ-MELF 电路保护 TVS - 二极管

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip
1N6104AUS

Voidless-Hermetically-Sealed Surface Mount Bidirectional Transient Suppressors

文件:482.65 Kbytes Page:5 Pages

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N6104AUS

Transient Voltage Suppressor Diode, 500W

文件:50.01 Kbytes Page:3 Pages

SENSITRON

SENSITRON SEMICONDUCTOR

SENSITRON
1N6104AUS

Transient Voltage Suppressor Diode, 500W

文件:50.16 Kbytes Page:3 Pages

SENSITRON

SENSITRON SEMICONDUCTOR

SENSITRON

500W BI-POLARITY TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS

500W BI-POLARITY TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

500W BI-POLARITY TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS

AXIAL LEADED, HERMETICALLY SEALED, 500 WATT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS • Low dynamic impedance • Hermetically sealed in Metoxilite fused metal oxide • 500 Watt peak pulse power • 1.5 Watt continuous • Available in JAN, JANTX and JANTXV versions

SEMTECHSemtech Corporation

升特

SEMTECH

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

QPL 500 Watt Axial Leaded TVS

DESCRIPTION The 1N61xx series of transient voltage suppressors are designed to protect military and commercial electronic equipment from overvoltages caused by lightning, ESD, EFT, inductive load switching, and EMP. These devices are constructed using two p-n junction TVS diodes in a back-to-back

SEMTECHSemtech Corporation

升特

SEMTECH

1N6104AUS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    1N6104AUS

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    TVS SGL BI-DIR 6.2V 500W 2PIN MELF - Bulk

更新时间:2025-8-5 17:32:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SEMT
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MICROCHIP/微芯
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  • 1N6513 全套表面贴装二极管

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    1N6117 代理渠道 ,进口原装

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    1N5822,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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