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1N6009B_T50A

封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 包装:带盒(TB) 描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单

ONSEMI

安森美半导体

1N6009B_T50A

DIODE ZENER 24V 500MW DO35

ONSEMI

安森美半导体

1N6009B_T50A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    1N6009B_T50A

  • 功能描述

    稳压二极管 Zener Diode

  • RoHS

  • 制造商

    Vishay Semiconductors

  • 齐纳电压

    12 V

  • 电压容差

    5 %

  • 电压温度系数

    0.075 %/K

  • 功率耗散

    3 W

  • 最大反向漏泄电流

    3 uA

  • 最大齐纳阻抗

    7 Ohms

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    DO-214AC

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-10-6 15:04:00
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