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位置：首页 > IC中文资料第11892页 > 1N5918

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
1N5918

SILICON1.5WATTZENERDIODES

DESCRIPTION The1N5913-5956Bseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbysuffixletteronthepart.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificationofLevel1withnodrypackrequired.Theya

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N5918

SILICON1.5WATTZENERDIODES

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI
1N5918

ZENERDIODES

FEATURES: *CompleteVoltageRange3.3to200Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent

TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd

泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司

TAYCHIPST
1N5918

ZENERDIODES

文件：2.01679 Mbytes Page：14 Pages

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司

ZSELEC
1N5918A

SILICONZENERDIODES

SILICONZENERDIODES AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.

DIGITRON

Digitron Semiconductors

DIGITRON
1N5918A

POWERDISSIPATION:1.5W

Features ◇Siliconplanarpowerzenerdiodes ◇Nosuffixindicatesa±20toleranceonnominalVz. SuffixAdenotesa±10,SuffixBdenotesa±5, SuffixCdenotesa±2,SuffixDdenotesa±1.

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司

LUGUANG
1N5918A

SILICONZENERDIODES

FEATURES: *CompleteVoltageRange3.3to200Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent

SYNSEMI

SynSemi，Inc.

SYNSEMI
1N5918A

SILICONZENERDIODES

FEATURES: *CompleteVoltageRange3.3to200Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree

EIC

EIC

EIC
1N5918A

1.5WattZENERDIODES(3.3Vto200V)

Features ■5&10VOLTAGETOLERANCESAVAILABLE ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0

FCI

Amphenol ICC

FCI
1N5918B

1.5WattZENERDIODES(3.3Vto200V)

Features ■5&10VOLTAGETOLERANCESAVAILABLE ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0

FCI

Amphenol ICC

FCI
1N5918B

1.5WZenerDiodes

Features •LowProfilePackage •1.5WPowerDissipation •Built-inStrainRelief •LowInductance •HighStability •ZenerVoltagefrom3.3Vto56V •RoHSCompliant

TAITRON

TAITRON

TAITRON
1N5918B

1.5WSILICONZENERDIODE

VOLTAGERANGE3.3to200Volts FEATURES *Zenervoltage3.3Vto200V *Withstandslargesurgestresses

JGDJinan Gude Electronic Device

济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司

JGD
1N5918B

SILICON1.5WATTZENERDIODES

DESCRIPTION The1N5913-5956Bseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbysuffixletteronthepart.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificationofLevel1withnodrypackrequired.Theya

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N5918B

Axial-Leaded1.5WattZenerDiodes

DESCRIPTION The1N5913BG-5956BGseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithavarietyoftolerancesavailable.Theyarealsoavailableinvariousmilitaryequivalentscreeninglevelsforhighreliability.TheseglassencapsulatedZenerswithaG

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N5918B

Axial-Leaded1.5WattZenerDiodes

DESCRIPTION The1N5913-5956Bseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbysuffixletteronthepart.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificationofLevel1withnodrypackrequired.Theya

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N5918B

GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODES

VOLTAGE3.3to200VoltsPOWER1.5Watts FEATURES •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowinductance •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •Pbfreeproductareavailable:99SncanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT
1N5918B

SILICONZENERDIODE1.5WATT,3.3THRU200VOLTS

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR1N5913BseriessiliconZenerdiodeisahighqualityvoltageregulatordesignedforuseinautomotive,industrial,commercial,entertainmentandcomputerapplications.

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
1N5918B

SILICONZENERDIODES

FEATURES: *CompleteVoltageRange3.3to200Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent

EIC

EIC

EIC
1N5918B

DO-13PACKAGE-GLASSTOMETALHERMETICALLYSEALED

Axial-Leaded1.5Wattdiodes

AMMSEMI

American Microsemiconductor

AMMSEMI
1N5918B

1.5WattsAxialLeadedZenerDiodes

Features ●CompleteVoltageRange3.3to200Volts ●Highreliability ●Highpeakreversepowerdissipation ●Lowleakagecurrent

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

SUNMATE
1N5918B

3WSILICONZENERDIODES

3WSILICONZENERDIODES

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司

SEMTECH_ELEC
1N5918B

SILICONZENERDIODES

FEATURES: *CompleteVoltageRange3.3to200Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree

FORMOSAFormosa MS

美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司

FORMOSA
1N5918B

ZenerDiodes1N59Series

FEATURES ●Ptot1.5W ●Vz3.3V-240V

RFERFE international

RFE国际公司RFE国际股份有限公司

RFE
1N5918B

ZenerDiode

■Feature ●Pt1.5W ●Vz3.3V-240V Notes: 1.ZenerTolerance:±5. 2.Thezenerimpedanceisderivedfromthe60-cycleacvoltage,whichresultswhenanaccurrenthavinganrmsvalueequalto10ofthedczenercurrent(IZTorIZK)issuperimposedtoIZTorIZK.。 3.Themaxzenercurrent

YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd

扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司

YANGJIE
1N5918BG

Axial-Leaded1.5WattZenerDiodes

DESCRIPTION The1N5913BG-5956BGseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithavarietyoftolerancesavailable.Theyarealsoavailableinvariousmilitaryequivalentscreeninglevelsforhighreliability.TheseglassencapsulatedZenerswithaG

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N5918BP

Axial-Leaded1.5WattZenerDiodes

DESCRIPTION The1N5913-5956Bseriesof1.5wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbysuffixletteronthepart.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificationofLevel1withnodrypackrequired.Theya

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N5918A

1.5W5.1VZenerdiode

文件：505.379 Kbytes Page：3 Pages

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行

SUNMATE
1N5918B

3W5.1VZenerdiode

文件：738.238 Kbytes Page：4 Pages

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行

SUNMATE
1N5918A

SILICONZENERDIODES

文件：95.56 Kbytes Page：2 Pages

EIC

EIC

EIC
1N5918AE3/TR13

封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向 包装：卷带（TR） 描述：DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO204AL 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单

MicrochipMicrochip Technology Inc.

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip
1N5918AG

封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向 包装：卷带（TR） 描述：DIODE ZENER 5.1V 1.25W DO204AL 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
1N5918B

Axial-Leaded1.5Wattdiodes

文件：208.4 Kbytes Page：1 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
1N5918B

ZENERDIODES

文件：53.8 Kbytes Page：1 Pages

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central
1N5918BUR-1

METALLURGICALLYBONDEDGLASSSURFACEMOUNT1.5WATTZENERS

文件：191.98 Kbytes Page：3 Pages

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

1N5918产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    1N5918

  • 制造商

    NJSEMI

  • 制造商全称

    New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

  • 功能描述

    SILICON 1.5 WATT ZENER DIODES

1N5918供应商更多...

更新时间：2024-5-29 13:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
1N5918A
MSC
2007/2008
1319
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询价
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1N5918C
NJS
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1N5918B
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1N5918
CHINA
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1N5918C
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21+
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700000
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