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1N5233BDO35E3

封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 包装:卷带(TR)剪切带(CT) 描述:DIODE ZENER 6V 500MW DO35 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

1N5233BDO35E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    1N5233BDO35E3

  • 功能描述

    DIODE ZENER 6V 500MW DO-35

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - 电压 -

  • 齐纳(标称)(Vz)

    36V 电压 - 在 If

  • 时为正向(Vf)(最大)

    900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr

  • 时反向漏电

    100nA @ 27V

  • 容差

    ±5% 功率 -

  • 最大

    200mW

  • 阻抗(最大)(Zzt)

    70 欧姆

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    SC-70,SOT-323

  • 供应商设备封装

    SOT-323

  • 包装

    剪切带(CT)

  • 工作温度

    -65°C ~ 150°C

  • 产品目录页面

    1585(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT

更新时间:2025-5-19 11:27:00
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