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位置：首页 > IC中文资料第693页 > 1N4755A-G

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
1N4755A-G

SILICONZENERDIODE

VOLTAGE3.3to100VoltsPOWER1.0Watts FEATURES •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowinductance •Hightemperaturesoldering:260°C/10secondsatterminals •GlasspackagehasUnderwritersLaboratoryFlammability Classification •Pbfreeproductareavailable:99Sn

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PANJIT
1N4755A-G

Glasspassivatedchip.

ZenerVoltage:3.3to330Volts DCPower:1Watts RoHSDevice Features -Glasspassivatedchip. -Lowleakage. -Built-instrainrelief. -Lowinductance. -Highpeakreversepowerdissipation. -Foruseinstabilizingandclipping withhighpowerrating. Mechanicaldata -Case:Mol

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

COMCHIP
1N4755A-G

SILICONZENERDIODE

文件：304.56 Kbytes Page：5 Pages

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PANJIT
1N4755

SILICONPLANARPOWERZENERDIODES

Surge

Surge Components

Surge
1N4755

SILICONPLANARPOWERZENERDIODES?

SEMTECHSemtech Corporation

升特

SEMTECH
1N4755

SILICONZENERDIODES

VZ:3.3-200VoltsPD:1Watt FEATURES: *Completevoltagerange3.3to200Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree

EIC

EIC discrete Semiconductors

EIC
1N4755

SILICONPLANARPOWERZENERDIODES

*SiliconPlanarPowerZenerDiodes. *ThesediodesarealsoavaiableintheMELFcasewithtypedesignationZM4728thruZM4764. *DO-41GlassorDO-41PlasticCase

Good-Ark

GOOD-ARK Electronics

Good-Ark
1N4755

1.0WattZenerDiode3.3to100Volts

Features •HermeticGlassPackage •SiliconPlanarZenerDiodes •ThesediodesarealsoavailableintheMELFcasewithtypedesignationDL4728thruDL4764.

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC

1N4755A-G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    1N4755A-G

  • 制造商

    PanJit Touch Screens

1N4755A-G供应商更多...

更新时间：2025-7-28 15:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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1N4755AHA0G
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