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LOWCURRENTOPERATIONAT250uA

•1N4099-1THRU1N4135-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 •LOWCURRENTOPERATIONAT250µA •LOWREVERSELEAKAGEANDLOWNOISECHARACTERISTICS •METALLURGICALLYBONDED

CDI-DIODE

Compensated Deuices Incorporated

CDI-DIODE

SILICON400mALOWNOISEZENERDIODES

•1N4099UR-1THRU1N4135UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWCURRENTOPERATIONAT250µA •METALLURGICALLYBONDED MAXIMUMRATINGS JunctionandStorageTemperature:-65°Cto+175°C DCPowerDissipation:50

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

500mWLOWNOISESILIONZENERDIODES

VOLTAGERANGE1.8to100Volts FEATURES *Zenervoltage1.8to100V *Lownoise *Lowreverseleakage

JGDJinan Gude Electronic Device

济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司

JGD

500mWLowNoiseZenerDiodes

Features •LowCurrentOperationat250µA •LowReverseLeakage •LowNoiseCharacteristics •MetallurgicallyBonded •Hightemperaturesolderingguaranteed:260˚C/10seconds •RoHSCompliant

TAITRON

TAITRON

TAITRON

LOWREVERSELEAKAGEANDLOWNOISECHARACTERISTICS

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MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
更新时间:2024-5-29 10:06:01
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