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1N3766	MilitarySiliconPowerRectifier HIGHRELIABILITYSILICONPOWERRECTIFIER QualifiedperMIL-PRF-19500/297 •GlassPassivatedDie •GlasstoMetalSealConstruction •500AmpsSurgeRating •VRRMto1000Volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N3766	Silicon-PowerRectifiers Silicon-PowerRectifiers •Nominalcurrent35A •Repetitivepeakreversevoltage50~1000V •MetalcaseDO-5 •Weightapprox.6g •Standardpolarity:Cathodetostud •IndexR:Anodetostud •Standardpackaging:bulk	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克
1N3766	SiliconPowerRectifier SiliconPowerRectifier •GlassPassivatedDie •800Asurgerating •Glasstometalconstruction •VRRMto1000V	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N3766	35,40,and60AmpPowerSiliconRectifierDiodes 35,40,and60AmpPowerSiliconRectifierDiodes	IRF International Rectifier
1N3766	PowerSiliconRectifierDiodes,35A/40A/60A DESCRIPTION/FEATURES •Lowleakagecurrentseries •Goodsurgecurrentcapabilityupto1000A •Canbesuppliedtomeetstringentmilitary,aerospaceandotherhighreliabilityrequirements •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
1N3766	SiliconPowerRectifier SiliconPowerRectifier •GlassPassivatedDie •800Asurgerating •Glasstometalconstruction •VRRMto1000V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
1N3766	FastRectifier SiliconPowerRectifier •GlassPassivatedDie •800Asurgerating •Glasstometalconstruction •VRRMto1000V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
1N3766	STANDARDRECOVERYRECTIFIER STANDARDRECOVERYRECTIFIER	DIGITRON Digitron Semiconductors
1N3766	SiliconStandardRecoveryDiode 文件：728.19 Kbytes Page：3 Pages	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
1N3766	Silicon-Power-Rectifiers 文件：129.13 Kbytes Page：2 Pages	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克
1N3766	SiliconStandardRecoveryDiode 文件：705.39 Kbytes Page：3 Pages	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
1N3766	SiliconStandardRecoveryDiode 文件：768.96 Kbytes Page：3 Pages	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
1N3766	包装：散装描述：STANDARD RECTIFIER 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司
1N3766	封装/外壳：DO-203AB，DO-5，接线柱包装：卷带（TR）描述：DIODE GEN PURP 800V 35A DO5 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
1N3766	HIGHRELIABILITYSILICONPOWERRECTIFIER 文件：123.92 Kbytes Page：3 Pages	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N3766	SiliconPowerRectifier 文件：132.23 Kbytes Page：2 Pages	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N3766	PowerSiliconRectifierDiodes,35A/40A/60A 文件：297.27 Kbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
1N3766R	MilitarySiliconPowerRectifier HIGHRELIABILITYSILICONPOWERRECTIFIER QualifiedperMIL-PRF-19500/297 •GlassPassivatedDie •GlasstoMetalSealConstruction •500AmpsSurgeRating •VRRMto1000Volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
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1N3766R	SiliconStandardRecoveryDiode 文件：768.96 Kbytes Page：3 Pages	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.
1N3766R	SiliconStandardRecoveryDiode 文件：728.19 Kbytes Page：3 Pages	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.

1N3766产品属性

类型
描述
型号
1N3766
功能描述
整流器 800V 35A Std. Recovery
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
反向电压
100 V
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A 反向电流
IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
DO-221AC
封装
Reel

1N3766供应商更多...

更新时间：2025-7-7 15:25:00

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中天科工半导体（深圳）有限公司	1N3766	MICROSEMI	专业模块	MODULE	8513	模块原装主营-可开原型号增税票	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	1N3766T	IR	22+	DO-5	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价