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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
1N276

GOLD BONDED DIODES

[VMI] 200 V - 1,000 V Single Phase Bridge 22.0 A - 25.0 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

1N276

JEDEC DO-7 PACKAGE

JEDEC DO-7 PACKAGE

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

1N276

GERMANIUM DIODES

Gold Bonded Germanium Diodes in DO-7 Package

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

1N276

germanium signal diode

germanium signal diode

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

1N276

MEDIUM AND LOW VOLTAGE GERMANIUM DIODES

MEDIUM AND LOW VOLTAGE GERMANIUM DIODES

AMMSEMI

1N276

Optimized for Radio Frequency Response

文件:63.27 Kbytes Page:1 Pages

MICROSEMI

美高森美

1N276

Germanium Diodes

文件:73.98 Kbytes Page:1 Pages

MICROSEMI

美高森美

封装/外壳:DO-204AA,DO-7,轴向 包装:散装 描述:DIODE GEN PURP 50V 40MA DO7 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

CENTRAL

Germanium Diodes

文件:73.98 Kbytes Page:1 Pages

MICROSEMI

美高森美

1N276产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    1N276

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    GERMANIUM DIODE - Bulk

更新时间:2026-8-3 17:03:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
25+
20
Central Semiconductor Corp
25+
DO-7
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Central
25+
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公司现货,提供拆样技术支持

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