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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
1ED2

MediumPerformanceCompactEMIPowerInletFilter

文件：255.27 Kbytes Page：4 Pages

MACOMTyco Electronics

玛科姆技术方案控股有限公司

MACOM
1ED21271S65F

650Vhigh-sidegatedriverwithovercurrentprotection(OCP),multi-functionRCIN/Fault/Enable(RFE)andintegratedbootstrapdiode(BSD)

Features •Infineonthin-film-SOI-technology •Maximumblockingvoltage+650V •Outputsource/sinkcurrent+4A/-4A •Maximumsupplyvoltageof25V •Integratedultra-fast,lowRDS(ON)BootstrapDiode •NegativeVStransientimmunityof100V •Detectionofovercurrentandundervoltag

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
1ED21271S65FXUMA1

650Vhigh-sidegatedriverwithovercurrentprotection(OCP),multi-functionRCIN/Fault/Enable(RFE)andintegratedbootstrapdiode(BSD)

Features •Infineonthin-film-SOI-technology •Maximumblockingvoltage+650V •Outputsource/sinkcurrent+4A/-4A •Maximumsupplyvoltageof25V •Integratedultra-fast,lowRDS(ON)BootstrapDiode •NegativeVStransientimmunityof100V •Detectionofovercurrentandundervoltag

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
1ED2127S65F

650Vhigh-sidegatedriverwithovercurrentprotection(OCP),multi-functionRCIN/Fault/Enable(RFE)andintegratedbootstrapdiode(BSD)

Features •Infineonthin-film-SOI-technology •Maximumblockingvoltage+650V •Outputsource/sinkcurrent+4A/-4A •Maximumsupplyvoltageof25V •Integratedultra-fast,lowRDS(ON)BootstrapDiode •NegativeVStransientimmunityof100V •Detectionofovercurrentandundervoltag

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
1ED2127S65FXUMA1

650Vhigh-sidegatedriverwithovercurrentprotection(OCP),multi-functionRCIN/Fault/Enable(RFE)andintegratedbootstrapdiode(BSD)

Features •Infineonthin-film-SOI-technology •Maximumblockingvoltage+650V •Outputsource/sinkcurrent+4A/-4A •Maximumsupplyvoltageof25V •Integratedultra-fast,lowRDS(ON)BootstrapDiode •NegativeVStransientimmunityof100V •Detectionofovercurrentandundervoltag

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
1ED21471S65F

650Vhigh-sidegatedriverwithovercurrentprotection(OCP),multi-functionRCIN/Fault/Enable(RFE)andintegratedbootstrapdiode(BSD)

Features •Infineonthin-film-SOI-technology •Maximumblockingvoltage+650V •Outputsource/sinkcurrent+4A/-4A •Maximumsupplyvoltageof25V •Integratedultra-fast,lowRDS(ON)BootstrapDiode •NegativeVStransientimmunityof100V •Detectionofovercurrentandundervoltag

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
1ED21471S65FXUMA1

650Vhigh-sidegatedriverwithovercurrentprotection(OCP),multi-functionRCIN/Fault/Enable(RFE)andintegratedbootstrapdiode(BSD)

Features •Infineonthin-film-SOI-technology •Maximumblockingvoltage+650V •Outputsource/sinkcurrent+4A/-4A •Maximumsupplyvoltageof25V •Integratedultra-fast,lowRDS(ON)BootstrapDiode •NegativeVStransientimmunityof100V •Detectionofovercurrentandundervoltag

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
1ED2147S65F

650Vhigh-sidegatedriverwithovercurrentprotection(OCP),multi-functionRCIN/Fault/Enable(RFE)andintegratedbootstrapdiode(BSD)

Features •Infineonthin-film-SOI-technology •Maximumblockingvoltage+650V •Outputsource/sinkcurrent+4A/-4A •Maximumsupplyvoltageof25V •Integratedultra-fast,lowRDS(ON)BootstrapDiode •NegativeVStransientimmunityof100V •Detectionofovercurrentandundervoltag

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
1ED2147S65FXUMA1

650Vhigh-sidegatedriverwithovercurrentprotection(OCP),multi-functionRCIN/Fault/Enable(RFE)andintegratedbootstrapdiode(BSD)

Features •Infineonthin-film-SOI-technology •Maximumblockingvoltage+650V •Outputsource/sinkcurrent+4A/-4A •Maximumsupplyvoltageof25V •Integratedultra-fast,lowRDS(ON)BootstrapDiode •NegativeVStransientimmunityof100V •Detectionofovercurrentandundervoltag

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
1ED21X7X

650Vhigh-sidegatedriverwithovercurrentprotection(OCP),multi-functionRCIN/Fault/Enable(RFE)andintegratedbootstrapdiode(BSD)

Features •Infineonthin-film-SOI-technology •Maximumblockingvoltage+650V •Outputsource/sinkcurrent+4A/-4A •Maximumsupplyvoltageof25V •Integratedultra-fast,lowRDS(ON)BootstrapDiode •NegativeVStransientimmunityof100V •Detectionofovercurrentandundervoltag

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

1ED2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    1ED2

  • 功能描述

    交流电源输入模块 1A FASTON RHT ANGLE FLANGE MOUNT

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Schurter

  • 过滤

    Yes

  • 过滤器类型

    IEC Inlet Filters

  • 产品

    Inlets

  • 电流额定值

    4 A

  • 电压额定值

    250 VAC

  • 外壳材料

    Thermoplastic

  • 安装风格

    Panel, Screw

  • 端接类型

    Quick Connect

  • 工作温度范围

    - 25 C to + 85 C

  • 连接器类型

    C-14

1ED2供应商更多...

更新时间：2025-8-4 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
1ED3120MC12HXUMA1
Infineon(英飞凌)
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SOP8
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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Infineon(英飞凌)
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深圳市星辰微电科技有限公司
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1ED3120MC12H
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艾睿（深圳）半导体有限公司
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Infineon(英飞凌)
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PG-DSO-8
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天津市博通航睿技术有限公司
1ED3120MU12H
INFINEON
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PG-DSO-8
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