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1414-10-N

包装:散装 描述:HEX SPACERNO FINISH - NYLON3/8 H 五金件,紧固件,配件 板垫片,支座

RAF

RAF ELECTRONIC HARDWARE

Premier Supplier of Electronic Hardware

文件:5.0379 Mbytes Page:60 Pages

ABBATRON

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ■ LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3=-45 dBc at Pout= 29.0dBm ■ HIGH POWER P1dB=40.5dBm at 14.0GHz to 14.5GHz ■ HIGH GAIN G1dB=6.0 dB at 14.0 GHz to 14.5GHz ■ BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ■ HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-8-6 18:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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