| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
12F100B | 6,12 and 16 Amp Diffused Silicon Rectifier Diodes 文件：336.52 Kbytes Page：8 Pages | IRF |   | |
12F100B | Diode Switching 1KV 12A 2-Pin DO-4 | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | |
12F100B | V(rrm): 1000V; 12A diffused silicon rectifier diode. For general pusposes: for battery chargers, converters, power supplies, machine tool controls | INFINEON 英飞凌 | | |
封装/外壳：DO-203AA，DO-4，接线柱 包装：卷带（TR） 描述：DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
STANDARD RECOVERY DIODES 文件：71.28 Kbytes Page：6 Pages | IRF | | ||
STANDARD RECOVERY DIODES 文件：71.28 Kbytes Page：6 Pages | IRF | | ||
STANDARD RECOVERY DIODES 文件：71.28 Kbytes Page：6 Pages | IRF | | ||
NON-ISOLATED DC/DC CONVERTERS 3.0 V-5.5 V Input 1.0 V-3.3 V/12 A Output 文件：242.29 Kbytes Page：9 Pages | BEL | |
12F100B产品属性
- 类型
描述
- Peak Reverse Repetitive Voltage：
1000V
- Peak Non-Repetitive Surge Current：
300A
- Peak Forward Voltage：
1.2V
- Maximum Continuous Forward Current：
12A
- Configuration：
Single
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
MODULE |
8000 |
只做原装现货 |
|||
IR |
23+ |
MODULE |
7000 |
||||
IR |
26+ |
DO-4 |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
|||
IR |
22+ |
MODULE |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
|||
Vishay Semiconductor Opto Divi |
25+ |
DO-203AA |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
12F100B规格书下载地址
12F100B参数引脚图相关
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- 35001
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2022-9-131-2834331-1
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2021-1-1112N10
12N10，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-6-16
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