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DTB113E	PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base–emitter resistor. The	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MG113P	0.25關m Sea of Gates and Customer Structured Arrays DESCRIPTION Oki’s 0.25µm Application-Specific Integrated Circuit (ASIC) products are available in both Sea Of Gates (SOG) and Customer Structured Array (CSA) architectures. Both the SOG-based MG115P series and the CSA-based MG75P series use a five-layer metal process on 0.25µm drawn (0.18µm L-eff	OKIOki Electric Cable Co.,Ltd 冲电线日本冲电线株式会社	OKI
MTIL113	6-Pin DIP Optoisolators Darlington Output 6-Pin DIP Optoisolators Darlington Output The MTIL113 device consists of a gallium arsenide infrared emitting diode optically coupled to a monolithic silicon photodarlington detector. This device is designed for use in applications requiring high collector output currents at lower input currents	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
LM113	Reference Diode 文件：126.55 Kbytes Page：4 Pages	NSC 国半	NSC
LM113H	Reference Diode 文件：126.55 Kbytes Page：4 Pages	NSC 国半	NSC

113-TB供应商更多...

更新时间：2026-3-18 18:06:02

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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2023-12-18
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2023-10-9
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2022-8-11
1-1393260-0
製造商: TE Connectivity 產品類型: 安全繼電器 RoHS: 詳細資料線圈電壓: 48 VDC 繼電器觸點形式: 4 Form A (4PST-NO)， 2 Form B (DPDT-NC) 觸點終端: Solder Pin 觸點容量: 8 A 封裝: Bulk 觸點形式: 4PST (4 Form A)， DPDT (2 Form B) 系列: SR6 品牌: TE Connectivity 線圈電阻: 1.92 kOhms
2021-6-10
1-1393260-0
1-1393260-0
2021-6-10
1-1414631-0
工業移動感應器和位置傳感器 RESOLVER V23401-S1001-B101工業移動感應器和位置傳感器 RESOLVER V23401-S1001-B101
2021-1-12