位置：首页 > IC中文资料第5917页 > 10EDB60
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
10EDB60 | AXIAL LEADED SILICON RECTIFIER DIODES VOLTAGE RANGE: 600V CURRENT: 1.0 A Features • Miniature Size • Low Forward Voltage drop • Low Reverse Leakage Current • High Surge Capability | SUNMATE 森美特 |   | |
10EDB60 | GLASS PASSIVATED RECTIFIER VOLTAGE: 600V CURRENT: 1.0A VOLTAGE: 600V CURRENT: 1.0A FEATURE • Molded case feature for auto insertion • High current capability • Low leakage current • High surge capability • High temperature soldering guaranteed 250°C /10sec/0.375 lead length at 5 lbs tension • Glass Passivated chip | GULFSEMI 海湾电子 | | |
10EDB60 | DIODE - 1A 600V TJ =150C FEATURES * Miniature Size * Low Forward Voltage drop * Low Reverse Leakage Current * High Surge Capability * 26mm and 52mm Inside Tape Spacing Package Available | NIEC | | |
10EDB60 | 1A 600V Rectifying tube 文件：294.753 Kbytes Page：2 Pages | | ||
10EDB60 | AXIAL LEADED SILICON RECTIFIER DIODES 文件：295.459 Kbytes Page：2 Pages | | ||
10EDB60 | 普通整流二极管 | KSS 京瓷 | | |
10EDB60 | Schottky Barrier Diode 文件：1.00567 Mbytes Page：6 Pages | KSS 京瓷 | | |
Standard Recovery Diode 文件：136.73 Kbytes Page：1 Pages | NI 恩艾 | | ||
Standard Recovery Diode 文件：136.73 Kbytes Page：1 Pages | NI 恩艾 | |
10EDB60产品属性
- 类型
描述
- 型号
10EDB60
- 制造商
NIEC
- 制造商全称
Nihon Inter Electronics Corporation
- 功能描述
DIODE - 1A 600V TJ =150C
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SUNMATE(森美特) |
2019+ROHS |
DO-41 |
66688 |
森美特高品质产品原装正品免费送样 |
|||
NIEC |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
|||
KYOCERA/京瓷 |
25+ |
R1 |
90000 |
全新原装现货 |
10EDB60芯片相关品牌
10EDB60规格书下载地址
10EDB60参数引脚图相关
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- 20kv
- 20700
- 1n4148
- 18000
- 1470
- 1427
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- 10EH4C
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FPGA - 现场可编程门阵列 The factory is currently not accepting orders for this product.
2022-4-6
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