| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
10EDB10 | DIODE - 1A 100V TJ = 150C FEATURES * Miniature Size * Low Forward Voltage drop * Low Reverse Leakage Current * High Surge Capability * 26mm and 52mm Inside Tape Spacing Package Available | NIEC |   | |
10EDB10 | 1A 100V 文件：484.671 Kbytes Page：3 Pages | | ||
10EDB10 | AXIAL LEADED SILICON RECTIFIER DIODES 文件：485.381 Kbytes Page：3 Pages | | ||
10EDB10 | AXIAL LEADED SILICON RECTIFIER DIODES 文件：478.78 Kbytes Page：2 Pages | SUNMATE 森美特 | | |
10EDB10 | General rectifier diode | SUNMATE 森美特 | | |
Standard Recovery Diode 文件：136.76 Kbytes Page：1 Pages | NIEC | | ||
Standard Recovery Diode 文件：136.76 Kbytes Page：1 Pages | NI 恩艾 | | ||
Standard Recovery Diode 文件：136.76 Kbytes Page：1 Pages | NI 恩艾 | |
10EDB10产品属性
- 类型
描述
- VRRM(V)：
100
- VRMS(V)：
_
- VDC(V)：
_
- IFSM(A)：
45
- VF(v)：
_
- PACKAGE：
DO-41
更新时间：2026-5-24 16:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SUNMATE(森美特) |
2019+ROHS |
DO-41 |
66688 |
森美特高品质产品原装正品免费送样 |
|||
NIEC |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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10EDB10规格书下载地址
10EDB10参数引脚图相关
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FPGA - 现场可编程门阵列 The factory is currently not accepting orders for this product.
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