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RF Power Field Effect Transistor

880 MHz, 10 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of this device makes it ideal for large-signal, common-source amplifier applica

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

RF Power LDMOS Transistors

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freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

100B7R5JT500XT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    100B7R5JT500XT

  • 功能描述

    多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 500volts 7.5pF 5%

  • RoHS

  • 制造商

    American Technical Ceramics(ATC)

  • 电容

    10 pF

  • 容差

    1 %

  • 电压额定值

    250 V

  • 温度系数/代码

    C0G(NP0) 外壳代码 -

  • in

    0505 外壳代码 -

  • mm

    1414

  • 工作温度范围

    - 55 C to + 125 C

  • 产品

    Low ESR MLCCs

  • 封装

    Reel

更新时间:2026-1-4 9:31:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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