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04N50Z

N-ChannelPowerMOSFET500V,2.7

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelPowerMOSFET500V,2.7

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

N-ChannelPowerMOSFET

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2025-5-19 11:22:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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TO220-3
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