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04N50Z

N-Channel Power MOSFET 500 V, 2.7 

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ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 3.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.7Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=3.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =2.7Ω(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel Power MOSFET 500 V, 2.7 

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ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-12-17 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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