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型号	功能描述	生产厂家&企业
03P6MG	300mAHIGH-WITHSTANDING-VOLTAGEMOLDSCR SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
03P6MG	THYRISTORS 300mAHIGH-WITHSTANDING-VOLTAGEMOLDSCR DESCRIPTION The03P4MGand03P6MGareP-gatefullydiffusedmoldSCRs withanaverageon-statecurrentof300mA.Therepeatpeak off-statevoltages(andreversevoltages)are400and600V. FEATURES •400and600Vhigh-withstanding-voltageseries	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
BES03P6	InductiveSensors BESM08MI-POC15B-S49G Basicfeatures Approval/ConformityCE UKCA cULus WEEE BasicstandardIEC60947-5-2 TrademarkGlobal	BalluffBalluff Korea Ltd. 巴鲁夫巴鲁夫自动化（上海）有限公司
RJK03P6DPA	BuiltinSBDDualN-channelPowerMOSFETHighSpeedPowerSwitching 文件：241.31 Kbytes Page：11 Pages	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

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更新时间：2024-4-18 22:30:00

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2020-9-19
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