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SIHB12N60E-GE3中文资料
SIHB12N60E-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIHB12N60E-GE3
- 功能描述
MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2024-5-11 10:02:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBSEMI |
19+ |
D2PAK |
29600 |
绝对原装现货,价格优势! |
|||
Vishay Siliconix |
23+ |
D2PAK(TO-263) |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
Vishay(威世) |
23+ |
标准封装 |
17048 |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
|||
VISHAY/威世 |
2024+实力库存 |
TO-263 |
583 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
Vishay |
18+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
|||
VISHAY |
22+23+ |
TO-263 |
27128 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
23+ |
N/A |
90150 |
正品授权货源可靠 |
||||
VISHY |
23+ |
TO263 |
90000 |
一定原装房间现货 |
|||
VISHY |
2102+ |
TO263 |
6854 |
只做原厂原装正品假一赔十! |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-263 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
SIHB12N60E-GE3 价格
参考价格：￥5.9958
型号：SIHB12N60E-GE3 品牌：VISHAY 备注：这里有SIHB12N60E-GE3多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SIHB12N60E-GE3批发/采购报价，SIHB12N60E-GE3行情走势销售排排榜，SIHB12N60E-GE3报价。
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- J45S500
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- MBA0204DC9FR400
- MBA0204IZ5DR400
- MBA0204SC1DR400
- MBA0204SC8FR400
- MG16B-030-AB-00
- NCV2211DR2G
- NCV8501PDW100R2G
- RAC05-A
- SID3055
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- P80
VBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体（台湾）有限公司
中文资料: 9545条
微碧半导体创建于2003年春，是一家集MOSFET晶圆开发设计，封装测试，销售服务，技术员支持为一体的国家高新技术企业。 我们服务于中高端市场的终端制造商，致力于为贵公司提供高品质的MOS场效应管，使您的公司在当今竞争激烈的市场中取得成功。 微碧研发总部位于中国台湾，公司以VBsemi品牌系列产品为核心，积极批量开发，并严格执行ISO9001国际质量标准，拥有10余认证以及多种荣誉称号。
