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SIA444DJT-T1-GE3中文资料
SIA444DJT-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIA444DJT-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET N-Channel 30 V(D-S)
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2024-4-30 10:01:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBSEMI |
19+ |
QFN6 |
29600 |
绝对原装现货,价格优势! |
|||
SI |
最新 |
1000 |
原装正品现货 |
||||
Vishay(威世) |
2249+ |
PowerPAK SC-70-6 |
59886 |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
|||
VISHAY(威世) |
23+ |
PowerPAK-SC-70-6 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
VishaySiliconix |
2019+ |
PowerPAK?SC-70-6 |
65500 |
原装正品货到付款,价格优势! |
|||
23+ |
N/A |
46580 |
正品授权货源可靠 |
||||
VB |
2019 |
QFN6 |
55000 |
绝对原装正品假一罚十! |
|||
VISHAY(威世) |
2112+ |
PowerPAK SC-70-6 |
115000 |
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
|||
VISHAY |
1809+ |
SMD |
3675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
VISHAY/威世 |
22+ |
QFN-6 |
28600 |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
SIA444DJT-T1-GE3 价格
参考价格：￥1.2588
型号：SIA444DJT-T1-GE3 品牌：Vishay 备注：这里有SIA444DJT-T1-GE3多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SIA444DJT-T1-GE3批发/采购报价，SIA444DJT-T1-GE3行情走势销售排排榜，SIA444DJT-T1-GE3报价。
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VBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体（台湾）有限公司
中文资料: 9545条
微碧半导体创建于2003年春，是一家集MOSFET晶圆开发设计，封装测试，销售服务，技术员支持为一体的国家高新技术企业。 我们服务于中高端市场的终端制造商，致力于为贵公司提供高品质的MOS场效应管，使您的公司在当今竞争激烈的市场中取得成功。 微碧研发总部位于中国台湾，公司以VBsemi品牌系列产品为核心，积极批量开发，并严格执行ISO9001国际质量标准，拥有10余认证以及多种荣誉称号。
