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SIA413DJ-T1-GE3中文资料

厂家型号

SIA413DJ-T1-GE3

文件大小

1252.35Kbytes

页面数量

9

功能描述

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

MOSFET 12V 12A 19W 29mohm @ 4.5V

数据手册

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生产厂商

VBsemi Electronics Co. Ltd

简称

VBSEMI微碧半导体

中文名称

微碧半导体(台湾)有限公司官网

LOGO

SIA413DJ-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIA413DJ-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 12V 12A 19W 29mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-1 10:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBSEMI
19+
QFN6
29600
绝对原装现货,价格优势!
VISHAY
19+
QFN
8036
VISHAY
23+
QFN6
3646
原厂原装正品
Vishay Siliconix
23+
PowerPAK? SC-70-6
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
VISHAY
23+
QFN6
800
只做原装全系列供应价格优势
VISHAY
22+
QFN-6
8000
原装正品现货假一罚十
VISHAY/威世
2022+
QFN-6
6000
原厂授权代理 价格绝对优势
VISHAY
2021
QFN-6
30000
全新原装 支持BOM配单
Vishay(威世)
2249+
PowerPAK SC-70-6L
62577
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口
VISHAY/威世
QFN6
7906200

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  • VINCOTECH
  • Vishay

VBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体(台湾)有限公司

中文资料: 9545条

微碧半导体创建于2003年春,是一家集MOSFET晶圆开发设计,封装测试,销售服务,技术员支持为一体的国家高新技术企业。 我们服务于中高端市场的终端制造商,致力于为贵公司提供高品质的MOS场效应管,使您的公司在当今竞争激烈的市场中取得成功。 微碧研发总部位于中国台湾,公司以VBsemi品牌系列产品为核心,积极批量开发,并严格执行ISO9001国际质量标准,拥有10余认证以及多种荣誉称号。