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SI3460BDV-T1-GE3中文资料

厂家型号	SI3460BDV-T1-GE3
文件大小	477.3Kbytes
页面数量	9页
功能描述	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET MOSFET 20V 8.0A 3.5W 27mohm @ 4.5V
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	VBsemi Electronics Co. Ltd
简称	VBSEMI【微碧半导体】
中文名称	微碧半导体（台湾）有限公司官网
LOGO

相近规格书

SI3460BDV-T1-GE3产品属性

类型
描述
型号
SI3460BDV-T1-GE3
功能描述
MOSFET 20V 8.0A 3.5W 27mohm @ 4.5V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

SI3460BDV-T1-GE3供应商...

更新时间：2024-5-17 10:02:00

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SI3460BDV-T1-GE3 价格

参考价格：￥2.0956

型号：SI3460BDV-T1-GE3 品牌：Vishay 备注：这里有SI3460BDV-T1-GE3多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SI3460BDV-T1-GE3批发/采购报价，SI3460BDV-T1-GE3行情走势销售排排榜，SI3460BDV-T1-GE3报价。

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VBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体（台湾）有限公司

中文资料: 9545条

微碧半导体创建于2003年春，是一家集MOSFET晶圆开发设计，封装测试，销售服务，技术员支持为一体的国家高新技术企业。我们服务于中高端市场的终端制造商，致力于为贵公司提供高品质的MOS场效应管，使您的公司在当今竞争激烈的市场中取得成功。微碧研发总部位于中国台湾，公司以VBsemi品牌系列产品为核心，积极批量开发，并严格执行ISO9001国际质量标准，拥有10余认证以及多种荣誉称号。