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SI3433BDV-T1-GE3中文资料

厂家型号

SI3433BDV-T1-GE3

文件大小

450.51Kbytes

页面数量

9

功能描述

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

MOSFET 20V 5.6A 2.0W 42mohm @ 4.5V

数据手册

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生产厂商

VBsemi Electronics Co. Ltd

简称

VBSEMI微碧半导体

中文名称

微碧半导体(台湾)有限公司官网

LOGO

SI3433BDV-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI3433BDV-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 5.6A 2.0W 42mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-20 16:59:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBSEMI
19+
SOT-23-6
29600
绝对原装现货,价格优势!
VISHAY
22+23+
SO-23
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18+
SO-23
85600
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VB
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SOT-23-6
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VISHAY
2020+
TSOP-6
80000
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  • Vishay

VBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体(台湾)有限公司

中文资料: 9545条

微碧半导体创建于2003年春,是一家集MOSFET晶圆开发设计,封装测试,销售服务,技术员支持为一体的国家高新技术企业。 我们服务于中高端市场的终端制造商,致力于为贵公司提供高品质的MOS场效应管,使您的公司在当今竞争激烈的市场中取得成功。 微碧研发总部位于中国台湾,公司以VBsemi品牌系列产品为核心,积极批量开发,并严格执行ISO9001国际质量标准,拥有10余认证以及多种荣誉称号。