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SI2367DS-T1-GE3中文资料
SI2367DS-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI2367DS-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 20V 3.8A 1.7W 66mohm @ 4.5V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2024-6-3 16:01:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBSEMI |
19+ |
SOT-23 |
29600 |
绝对原装现货,价格优势! |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
SOT23 |
45000 |
热卖优势现货 |
|||
VISHAY |
16+ |
SOT23 |
18320 |
进口原装现货/价格优势! |
|||
VISHAY/威世 |
2019+ |
SOT-23 |
78550 |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
Vishay |
2020+ |
原厂原装正品 |
8000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
Vishay |
2021+ |
原厂原封装 |
93628 |
原装进口现货 假一罚百 |
|||
Vishay |
21+ |
10560 |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
||||
Si2367DS-T1-GE3 MOS(场效应管) |
2019+PB |
SOT-23 |
41120 |
13632880263 |
|||
VISHAY/威世 |
2019+PB |
SOT-23 |
41120 |
原装正品 可含税交易 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
SOT-23 |
200000 |
有挂就有货,只做原装免费送样-可BOM配单 |
SI2367DS-T1-GE3 价格
参考价格：￥0.7705
型号：SI2367DS-T1-GE3 品牌：VISHAY 备注：这里有SI2367DS-T1-GE3多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SI2367DS-T1-GE3批发/采购报价，SI2367DS-T1-GE3行情走势销售排排榜，SI2367DS-T1-GE3报价。
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- SI53106
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VBSEMI相关电路图
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VBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体（台湾）有限公司
中文资料: 9545条
微碧半导体创建于2003年春，是一家集MOSFET晶圆开发设计，封装测试，销售服务，技术员支持为一体的国家高新技术企业。 我们服务于中高端市场的终端制造商，致力于为贵公司提供高品质的MOS场效应管，使您的公司在当今竞争激烈的市场中取得成功。 微碧研发总部位于中国台湾，公司以VBsemi品牌系列产品为核心，积极批量开发，并严格执行ISO9001国际质量标准，拥有10余认证以及多种荣誉称号。
