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IRFR13N20DTRPBF中文资料
IRFR13N20DTRPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFR13N20DTRPBF
- 功能描述
MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2024-6-3 18:21:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-252 |
76000 |
IR英飞凌VISHAY专做 全新原装进口正品假一赔百,可开13 |
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IR |
16+ |
TO-252 |
6200 |
全新原装/深圳现货库2 |
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INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
TO-252 |
18405 |
原装进口假一罚十 |
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INFINEON/英飞凌 |
19+ |
SOT-252 |
6000 |
进口原装假一赔十支持含税 |
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英飞凌/INFINEON |
22+ |
TO-252 |
36000 |
代理渠道力挺长期原装现货 可开增票 |
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INFINEON |
22+ |
TO-252 |
10000 |
原装正品!!!优势库存!0755-83210901 |
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INFINEON |
21+ |
TO-252 |
20000 |
全新原装公司现货
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INFINEON/英飞凌 |
2024+实力库存 |
TO-252 |
1645 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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INFINEON |
21+ |
TO252 |
5200 |
只做原装,可开税票 |
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INFINEON |
21+ |
TO-252 |
20000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
IRFR13N20DTRPBF 价格
参考价格：￥2.6922
型号：IRFR13N20DTRPBF 品牌：International 备注：这里有IRFR13N20DTRPBF多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFR13N20DTRPBF批发/采购报价，IRFR13N20DTRPBF行情走势销售排排榜，IRFR13N20DTRPBF报价。
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IRFR13N20DTRPBF
联系人张生电话19926428992QQ1924037095
2021-10-12IRFR13N20DTRPBF
属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss)200V 连续漏极电流(Id)13A 功率(Pd)110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs，Id)235mΩ10V，8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)5.5V250μA 类型N沟道
2021-10-12
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VBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体（台湾）有限公司
中文资料: 9545条
微碧半导体创建于2003年春，是一家集MOSFET晶圆开发设计，封装测试，销售服务，技术员支持为一体的国家高新技术企业。 我们服务于中高端市场的终端制造商，致力于为贵公司提供高品质的MOS场效应管，使您的公司在当今竞争激烈的市场中取得成功。 微碧研发总部位于中国台湾，公司以VBsemi品牌系列产品为核心，积极批量开发，并严格执行ISO9001国际质量标准，拥有10余认证以及多种荣誉称号。
