位置：首页 > IC中文资料第1902页 > VP0610L
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VP0610L | P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •High-SideSwitching •LowOn-Resistance:8 •LowThreshold:−1.9V •FastSwitchingSpeed:16ns •LowInputCapacitance:15pF BENEFITS •EaseinDrivingSwitches •LowOffset(Error)Voltage •Low-VoltageOperation •High-SpeedSwitching •EasilyDrivenWithoutBuffer AP | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  |   |
VP0610L | P-Channel60-V(D-S)MOSFET Description:P-Channel,60V(D-S)MOSFET Package:SOT-23 PinOut:Identical | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
Reliablesolidstateoperation 文件：564.77 Kbytes Page：2 Pages | LSTD Laird Tech Smart Technology |  | | |
MountingBracketKits 文件：468.83 Kbytes Page：4 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 |  | | |
MountingBracketKits 文件：468.83 Kbytes Page：4 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商 | | | |
2.7VGPSLOWNOISEAMPLIFIER 文件：466.79 Kbytes Page：13 Pages | AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司 |  | | |
2.7-VGPSLow-noiseAmplifier 文件：540.09 Kbytes Page：15 Pages | AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司 | | |
VP0610L产品属性
- 类型
描述
- 型号
VP0610L
- 功能描述
MOSFET 60V 0.18A 0.8W
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
21+ |
NA |
99999 |
原装正品价格优惠 |
||||
SILICONIX |
23+ |
TO-92 |
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原装正品，支持实单 |
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SILICONIX |
21+ |
TO-92 |
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Vishay(威世) |
23+ |
NA/ |
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VISHAY/威世 |
23+ |
NA/ |
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原厂直销,现货供应,账期支持! |
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SILICONIX |
23+ |
SOT-23 |
31000 |
全新原装现货 |
|||
SILICONIX |
07+ |
TO-92 |
30142 |
进口原装现货 |
|||
VISHAY |
2020+ |
SOT-23 |
350000 |
100%进口原装正品公司现货库存 |
|||
SILICONIX |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
|||||
VBHAY |
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