VNS3NV04DPTR-E价格

参考价格:¥4.3075

型号:VNS3NV04DPTR-E 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有VNS3NV04DPTR-E多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,VNS3NV04DPTR-E批发/采购报价,VNS3NV04DPTR-E行情走势销售排行榜,VNS3NV04DPTR-E报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
VNS3NV04DPTR-E

OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET

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意法半导体意法半导体(ST)集团

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VNS3NV04DPTR-E

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器

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?쏰MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheVNS3NV04DisadeviceformedbytwomonolithicOMNIFETIIchipshousedinastandardSO-8package.TheOMNIFETIIaredesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology:theyareintendedforreplacementofstandardPowerMOSFETSfromDCupto50KHzapplications.Builtinther

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?쏰MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET

Description TheVNN3NV04,VNS3NV04,VND3NV04VND3NV04-1,aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50kHzapplications. Features ■Linearcurrentlimitation ■Thermalshutdown ■Shortcircuit

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VNS3NV04DPTR-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VNS3NV04DPTR-E

  • 功能描述

    MOSFET OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-23 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法半导体)
23+
SOP-8
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现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
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VNS3NV04DPTR-E原装正品
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ST
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