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TGF2023-01中文资料

厂家型号

TGF2023-01

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445.78Kbytes

页面数量

8

功能描述

6 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT

射频GaAs晶体管 1.25mm GaN Discrete

数据手册

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生产厂商

TriQuint Semiconductor

简称

TriQuint

中文名称

官网

LOGO

TGF2023-01产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TGF2023-01

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 1.25mm GaN Discrete

  • RoHS

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

更新时间:2024-4-30 15:56:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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  • TYCONSYSTEMS
  • TYSEMI

TriQuint Semiconductor

中文资料: 3071条

Qorvo持续推出新一代RF智能装置与解决方案,让用户、位置与装置之间的连接更为快速、深入且可靠。Qorvo与领先公司合作,运用核心的RF产品及工程专业技术,打造未来的联网世界。Qorvo通过更高能源效率的网络与装置提供更出色的性能,连接并保护关键防护系统和新兴的商业与消费型应用。Qorvo的产品无处不在,让这个世界更加紧密地关联在一起,让生活更美好。TriQuint和RFMD合并后改名为Qorvo,是射频解决方案的新全球领先厂商。