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TC1N60P	500mWDO-35HermeticallySealedGlassSmallSignalSchottkyDiodes 文件：75.71 Kbytes Page：2 Pages	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌电子德昌电子（集团）有限公司
TC1N60P	500mWDO-35HermeticallySealedGlassSmallSignalSchottkyDiodes 文件：92.35 Kbytes Page：3 Pages	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌电子德昌电子（集团）有限公司
1N60	GOLDBONDEDGERMANIUMDIODE GermaniumGlassDiode Features •GermaniumGlassDiode •RoHSCompliance	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
1N60	SiliconAvalancheDiodes-1500WattMetalAxialLeadedTransientVoltageSuppressors FEATURES •Hermeticallysealed •Breakdownvoltagerange6.8-200volts •Glasspassivatedjunction •Excellentclampingcapability •Lowzenerimpedance •100surgetested •-55°Cto+150°C •Bi-directional MAXIMUMRATING •PeakPulsePower(Ppk):15000Watts(10x1000µs)@25°C(seedi	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
1N60	SchottkyBarrierDiode Features 1.Highreliability 2.Lowreversecurrentandlowforwardvoltage Applications Lowcurrentrectificationandhighspeedswitching Construction Siliconepitaxialplanar	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司
1N60	JEDECDO-7PACKAGE JEDECDO-7PACKAGE	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
1N60	1.2Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC1N60isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpow	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司

TC1N60P产品属性

类型
描述
型号
TC1N60P
制造商
TAK_CHEONG
制造商全称
Tak Cheong Electronics(Holdings) Co.,Ltd
功能描述
500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Small Signal Schottky Diodes

TC1N60P供应商更多...

更新时间：2024-4-23 22:30:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市艾宇欣科技有限公司	TC1SKIT	Greenlee	1935+	N/A	656	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	TC1V01F	TOS	2020+	SOP8	2000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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特征低的成本闭锁保护：可承受500毫安的反输出电流ESD保护..................±2千伏高峰值输出电流.................1.2A的峰值高容性负载驱动能力.................为1000pF在38nsec宽工作电压范围.................4.5V至16V的低延时.................75nsec最大独立的逻辑输入阈值电源电压输出电压摆幅25mV的范围内的接地或VDD低输出阻抗..
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