型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
TBU406

SILICONBRIDGERECTIFIERS

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HYyueqing hongyi electronics co.,ltd

宏一乐清市宏一电子有限公司

HY

GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS

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HYyueqing hongyi electronics co.,ltd

宏一乐清市宏一电子有限公司

HY

GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS

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HYyueqing hongyi electronics co.,ltd

宏一乐清市宏一电子有限公司

HY

3.5x6.0mmCeramic-SMCrystal

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CTSCTS Electronic Components

西迪斯西迪斯公司

CTS

DetectableBuriedBarricadeTapes400Series

文件:53.73 Kbytes Page:2 Pages

3MMinnesota Mining and Manufacturing

明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司

3M

LowVoltageandPowerApplications

文件:992.1 Kbytes Page:8 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC

Replace“XX”with01through12fornumberofpoles11/16(.688)pitch

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MARATHON

Regal Beloit Corporation

MARATHON

TabconnectorLeaddistributor

文件:89.45 Kbytes Page:1 Pages

WECOWECO Electrical Connectors Inc

威科电子深圳市威科电子连接器有限公司

WECO

TBU406产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TBU406

  • 制造商

    HY

  • 制造商全称

    HY ELECTRONIC CORP.

  • 功能描述

    SILICON BRIDGE RECTIFIERS

更新时间:2024-4-25 19:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
BOURNS/伯恩斯
23+
DFN
10880
原装正品,支持实单
BOURNS
23+
DFN3(4x6.5)
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
BOURNS/伯恩斯
23+
NA/
3300
原厂直销,现货供应,账期支持!
BOURNS
2021+
SMD
499
Bourns
22+
NA
5889
加我QQ或微信咨询更多详细信息,
BOURNS
1921+
SMD
3575
向鸿仓库现货,优势绝对的原装!
BOURNS/伯恩斯
2022
DFN
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
BOURNS/伯恩斯
23+
DFN6
6500
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
BOURNS/伯恩斯
2022+
NA
10000
只做原装,价格优惠,长期供货。
Bourns
5
全新原装 货期两周

TBU406芯片相关品牌

  • ABRACON
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TBU406数据表相关新闻

  • TBD62783AFNG,EL

    优势渠道

    2022-8-9
  • TC1016-2.6VCTTR

    TC1016-2.6VCTTR电子元器件MICROCHIP/微芯封装SOT23-5

    2022-7-15
  • TC1016-1.8VCTTR

    TC1016-1.8VCTTR电源管理芯片Microchip封装SOT23-5

    2022-7-15
  • TBP28S86JP4

    TBP28S86JP4

    2022-6-17
  • TBP28L22N

    TBP28L22N

    2019-11-2
  • TC1014-50毫安CMOS LDO稳压器关断和参考旁路

    一般说明TC1014是一个高准确度(通常为±0.5%)CMOS(双极),如低压差稳压器升级LP2980。专为电池供电系统的,TC1014的CMOS结构消除浪费接地电流,显着延长电池寿命。共有电源电流通常是在满负荷(50毫安20至60倍低于双极型稳压器)。TC1014的主要特性包括超低噪声操作(加上可选的旁路输入);非常低的压差电压(在满负荷通常95mV)和内部前馈补偿快速响应,以加强对负荷变化。供应当关断输入电流减少到小于1mA低。TC1014还结合过温和过电流保护。TC1014是稳定,只有一个输出电容1MF和最大输出电流为100mA。对于高输出版本,请参阅TC1107,

    2013-1-11