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STD16NE06L中文资料
STD16NE06L产品属性
- 类型
描述
- 型号
STD16NE06L
- 功能描述
MOSFET N-Ch 60 Volt 16 Amp
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TO252 |
6996 |
只做原装正品现货 |
|||
ST/意法 |
22+ |
TO-252 |
20000 |
只做原装进口 免费送样!! |
|||
ST/意法 |
TO252 |
7906200 |
|||||
ST |
2024+ |
DPAK-2 |
32560 |
原装优势绝对有货 |
|||
ST |
2017+ |
TO-252 |
26589 |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
|||
N/A |
1500 |
||||||
ST |
06+ |
TO-252 |
8000 |
原装 |
|||
ST |
23+ |
TO-252 |
8795 |
||||
STM |
23+ |
NA |
1425 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
ST |
23+ |
TO-252 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
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- PSD4235F2-B-12M
- PSD4235G1-B-12M
- PSD4235G1-C-12M
- PSD4235G1V-B-12M
- PSD4235G3V-B-12M
- PSD834390MT
- PSD835F2V-12M
- PSD835G2V-A-12M
- PSD835G3-A-12M
- PSD835G3V-A-12M
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- PSD913F3V-C-90M
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- PSD913G3V-C-90M
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Datasheet数据表PDF页码索引
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STMicroelectronics 意法半导体(ST)集团
意法半导体(ST)公司成立于1987年,是意大利SGS半导体公司和法国汤姆逊半导体合并后的新企业,从成立之初至今,ST的增长速度超过了半导体工业的整体增长速度。自1999年起,ST始终是世界十大半导体公司之一。 整个集团共有员工近50,000名,拥有16个先进的研发机构、39个设计和应用中心、15主要制造厂,并在36个国家设有78个销售办事处。 公司总部设在瑞士日内瓦,同时也是欧洲区以及新兴市场的总部;公司的美国总部设在德克萨斯州达拉斯市的卡罗顿;亚太区总部设在新加坡;日本的业务则以东京为总部;大中国区总部设在上海,负责香港、大陆和台湾三个地区的业务。 自1994年12月8日首次完成公开发行股