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BD533中文资料

厂家型号

BD533

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358.05Kbytes

页面数量

11

功能描述

Complementary power transistors

两极晶体管 - BJT NPN Medium Power

数据手册

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生产厂商

STMicroelectronics

简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

LOGO

BD533产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD533

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Medium Power

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2024-4-28 14:08:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
2020+
NA
9500
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ROHM/罗姆
22+
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BD5335FVE-TR 价格

参考价格:¥1.3859

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BD533 晶体管资料

  • BD533(J,K,L)别名:BD533(J,K,L)三极管、BD533(J,K,L)晶体管、BD533(J,K,L)晶体三极管

  • BD533(J,K,L)生产厂家:德国电子元件股份公司_德国西门子AG公司

  • BD533(J,K,L)制作材料:Si-NPN

  • BD533(J,K,L)性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • BD533(J,K,L)封装形式:直插封装

  • BD533(J,K,L)极限工作电压:45V

  • BD533(J,K,L)最大电流允许值:4A

  • BD533(J,K,L)最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BD533(J,K,L)引脚数:3

  • BD533(J,K,L)最大耗散功率:50W

  • BD533(J,K,L)放大倍数

  • BD533(J,K,L)图片代号:B-10

  • BD533(J,K,L)vtest:45

  • BD533(J,K,L)htest:999900

  • BD533(J,K,L)atest:4

  • BD533(J,K,L)wtest:50

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  • SUNSPIRIT
  • SUNTAC

STMicroelectronics 意法半导体(ST)集团

中文资料: 148302条

意法半导体(ST)公司成立于1987年,是意大利SGS半导体公司和法国汤姆逊半导体合并后的新企业,从成立之初至今,ST的增长速度超过了半导体工业的整体增长速度。自1999年起,ST始终是世界十大半导体公司之一。 整个集团共有员工近50,000名,拥有16个先进的研发机构、39个设计和应用中心、15主要制造厂,并在36个国家设有78个销售办事处。 公司总部设在瑞士日内瓦,同时也是欧洲区以及新兴市场的总部;公司的美国总部设在德克萨斯州达拉斯市的卡罗顿;亚太区总部设在新加坡;日本的业务则以东京为总部;大中国区总部设在上海,负责香港、大陆和台湾三个地区的业务。 自1994年12月8日首次完成公开发行股