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BD649中文资料
BD649产品属性
- 类型
描述
- 型号
BD649
- 功能描述
达林顿晶体管 62.5W NPN Silicon
- RoHS
否
- 制造商
Texas Instruments
- 配置
Octal
- 晶体管极性
NPN 集电极—发射极最大电压
- VCEO
50 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
集电极—基极电压
- 最大直流电集电极电流
0.5 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-18
- 封装
Reel
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TO-220 |
10000 |
全新 |
|||||
FAIRCHILD |
2017+ |
TO-220 |
65895 |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
|||
ST |
17+ |
TO-220 |
6200 |
||||
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-220 |
5000 |
只做原装公司现货 |
|||
BOURNS |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
FSC |
19+ |
TO-220F |
65973 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂; |
|||
NXP |
23+ |
TO-220 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
POWER |
23+ |
TO-220 |
25000 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
NXP |
21+ |
TO-220 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
|||
23+ |
N/A |
49000 |
正品授权货源可靠 |
BD649 资料下载更多...
BD649 芯片相关型号
BD649 晶体管资料
BD649别名:BD649三极管、BD649晶体管、BD649晶体三极管
BD649生产厂家:德国AEG公司_德国西门子AG公司_德国凡尔伏公司
BD649制作材料:Si-N+Darl+Di
BD649性质:低频或音频放大(LF)
BD649封装形式:直插封装
BD649极限工作电压:120V
BD649最大电流允许值:8A
BD649最大工作频率:<1MHZ或未知
BD649引脚数:3
BD649最大耗散功率:62.5W
BD649放大倍数:
BD649图片代号:B-10
BD649vtest:120
BD649htest:999900
- BD649atest:8
BD649wtest:62.5
BD649代换 BD649用什么型号代替:BD701,BD901,BDW73C,BDX33C,BDX53C,FD50B,
Datasheet数据表PDF页码索引
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