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BD649中文资料

厂家型号

BD649

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116.15Kbytes

页面数量

4

功能描述

Silicon NPN Power Transistors

达林顿晶体管 62.5W NPN Silicon

数据手册

下载地址一下载地址二

生产厂商

Savantic, Inc.

简称

SAVANTIC

中文名称

官网

LOGO

BD649产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD649

  • 功能描述

    达林顿晶体管 62.5W NPN Silicon

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

更新时间:2024-4-24 16:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TO-220
10000
全新
FAIRCHILD
2017+
TO-220
65895
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票
ST
17+
TO-220
6200
STMicroelectronics
2022+
TO-220
5000
只做原装公司现货
BOURNS
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
FSC
19+
TO-220F
65973
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂;
NXP
23+
TO-220
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
POWER
23+
TO-220
25000
专做原装正品,假一罚百!
NXP
21+
TO-220
12588
原装正品,自己库存 假一罚十
23+
N/A
49000
正品授权货源可靠

BD649 晶体管资料

  • BD649别名:BD649三极管、BD649晶体管、BD649晶体三极管

  • BD649生产厂家:德国AEG公司_德国西门子AG公司_德国凡尔伏公司

  • BD649制作材料:Si-N+Darl+Di

  • BD649性质:低频或音频放大(LF)

  • BD649封装形式:直插封装

  • BD649极限工作电压:120V

  • BD649最大电流允许值:8A

  • BD649最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BD649引脚数:3

  • BD649最大耗散功率:62.5W

  • BD649放大倍数

  • BD649图片代号:B-10

  • BD649vtest:120

  • BD649htest:999900

  • BD649atest:8

  • BD649wtest:62.5

  • BD649代换 BD649用什么型号代替:BD701,BD901,BDW73C,BDX33C,BDX53C,FD50B,

SAVANTIC相关电路图

  • SAVITECH
  • SCHAFFNER
  • SCHMERSAL
  • SCHNEIDER
  • SCHOTT
  • SCHURTER
  • SCIOSENSE
  • SDC
  • SDS
  • SEAWARD
  • SECELECTRONICS
  • SECOS

Savantic, Inc.

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