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MMBA812M6中文资料
MMBA812M6产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBA812M6
- 制造商
SAMSUNG
- 制造商全称
Samsung semiconductor
- 功能描述
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR(General Purpose Transistor)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
23+ |
N/A |
59810 |
正品授权货源可靠 |
||||
ON |
2023+ |
SMD |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
ON/安森美 |
SOT-23 |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
SK |
09+ |
SOT-23 |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
MOT原装 |
2320+ |
SOT23 |
562000 |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
|||
SK |
09+ |
SOT-23 |
3000 |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
|||
SK |
2023+ |
SOT-23 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
|||
ON-安森美 |
24+25+/26+27+ |
SOT-23.贴片 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
on |
08PB |
90000 |
MMBA812M6 资料下载更多...
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- RH5RE47AA-T1
- RH5RE59AA-T1
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- VI-23ZCU
- VI-240CU
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MMBA812M6 晶体管资料
MMBA812M6别名:MMBA812M6三极管、MMBA812M6晶体管、MMBA812M6晶体三极管
MMBA812M6生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司
MMBA812M6制作材料:
MMBA812M6性质:低频或音频放大 (LF)_通用 (G)
MMBA812M6封装形式:
MMBA812M6极限工作电压:50V
MMBA812M6最大电流允许值:0.1A
MMBA812M6最大工作频率:<1MHZ或未知
MMBA812M6引脚数:
MMBA812M6最大耗散功率:0.3W
MMBA812M6放大倍数:
MMBA812M6图片代号:NO
MMBA812M6vtest:50
MMBA812M6htest:999900
- MMBA812M6atest:.1
MMBA812M6wtest:.3
MMBA812M6代换 MMBA812M6用什么型号代替:2SA812M6,3CG120C,
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Samsung Group 三星半导体
三星半导体是全球领先的半导体制造商之一,成立于1983年,总部位于韩国首尔。作为三星集团旗下的半导体业务部门,三星半导体致力于为客户提供高品质、高性能、高可靠性的半导体产品和解决方案,涵盖存储器、系统LSI、芯片等领域。 三星半导体拥有先进的生产设备和技术,以及一支专业的研发团队,能够为客户提供定制化的半导体解决方案。公司的产品广泛应用于电子、通信、计算机、汽车、医疗等领域,为客户提供高效、可靠、安全的半导体产品和服务。 作为全球领先的半导体制造商,三星半导体一直处于技术创新的前沿。公司不断投入研发,推出了一系列领先的半导体产品和解决方案,如高速存储器、高性能处理器、低功耗芯片等,为客户提