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MMBA812M6中文资料

厂家型号

MMBA812M6

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25.89Kbytes

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1

功能描述

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR(General Purpose Transistor)

数据手册

下载地址一下载地址二

生产厂商

Samsung Group

简称

Samsung三星

中文名称

三星半导体官网

LOGO

MMBA812M6产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBA812M6

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR(General Purpose Transistor)

更新时间:2024-4-30 9:41:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SMD
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
23+
N/A
59810
正品授权货源可靠
ON
2023+
SMD
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
ON/安森美
SOT-23
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
SK
09+
SOT-23
3000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
MOT原装
2320+
SOT23
562000
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品
SK
09+
SOT-23
3000
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微
SK
2023+
SOT-23
700000
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
ON-安森美
24+25+/26+27+
SOT-23.贴片
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
on
08PB
90000

MMBA812M6 晶体管资料

  • MMBA812M6别名:MMBA812M6三极管、MMBA812M6晶体管、MMBA812M6晶体三极管

  • MMBA812M6生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司

  • MMBA812M6制作材料

  • MMBA812M6性质:低频或音频放大 (LF)_通用 (G)

  • MMBA812M6封装形式

  • MMBA812M6极限工作电压:50V

  • MMBA812M6最大电流允许值:0.1A

  • MMBA812M6最大工作频率:<1MHZ或未知

  • MMBA812M6引脚数

  • MMBA812M6最大耗散功率:0.3W

  • MMBA812M6放大倍数

  • MMBA812M6图片代号:NO

  • MMBA812M6vtest:50

  • MMBA812M6htest:999900

  • MMBA812M6atest:.1

  • MMBA812M6wtest:.3

  • MMBA812M6代换 MMBA812M6用什么型号代替:2SA812M6,3CG120C,

Samsung相关电路图

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Samsung Group 三星半导体

中文资料: 18167条

三星半导体是全球领先的半导体制造商之一,成立于1983年,总部位于韩国首尔。作为三星集团旗下的半导体业务部门,三星半导体致力于为客户提供高品质、高性能、高可靠性的半导体产品和解决方案,涵盖存储器、系统LSI、芯片等领域。 三星半导体拥有先进的生产设备和技术,以及一支专业的研发团队,能够为客户提供定制化的半导体解决方案。公司的产品广泛应用于电子、通信、计算机、汽车、医疗等领域,为客户提供高效、可靠、安全的半导体产品和服务。 作为全球领先的半导体制造商,三星半导体一直处于技术创新的前沿。公司不断投入研发,推出了一系列领先的半导体产品和解决方案,如高速存储器、高性能处理器、低功耗芯片等,为客户提