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2N4125中文资料

厂家型号

2N4125

文件大小

31.01Kbytes

页面数量

1

功能描述

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

两极晶体管 - BJT

数据手册

下载地址一下载地址二

生产厂商

Samsung Group

简称

Samsung三星

中文名称

三星半导体官网

LOGO

2N4125产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N4125

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2024-5-4 11:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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2000
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100%原装正品现货
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2500
特价库存
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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N/A
38460
正品授权货源可靠
FSC/ON
23+
原包装原封 □□
1240
原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存

2N4125 晶体管资料

  • 2N4125别名:2N4125三极管、2N4125晶体管、2N4125晶体三极管

  • 2N4125生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司_德国电子元件股份公司_美国

  • 2N4125制作材料:Si-PNP

  • 2N4125性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)

  • 2N4125封装形式:直插封装

  • 2N4125极限工作电压:30V

  • 2N4125最大电流允许值:0.2A

  • 2N4125最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 2N4125引脚数:3

  • 2N4125最大耗散功率:0.625W

  • 2N4125放大倍数

  • 2N4125图片代号:A-31

  • 2N4125vtest:30

  • 2N4125htest:999900

  • 2N4125atest:.2

  • 2N4125wtest:.625

  • 2N4125代换 2N4125用什么型号代替:BC178,BC205,BC213,BC252,BC308,BC513,BC558,BSW24,2N2906(A),2N2907(A),2N2906,2N2907,3CK3F,

Samsung相关电路图

  • Samtec
  • SAMWHA
  • SAMYANG
  • SAMYOUNG
  • Sanken
  • SANREX
  • SANYO
  • SANYODENKI
  • SANYOU
  • SATCO
  • SATEL
  • SAVANTIC

Samsung Group 三星半导体

中文资料: 18167条

三星半导体是全球领先的半导体制造商之一,成立于1983年,总部位于韩国首尔。作为三星集团旗下的半导体业务部门,三星半导体致力于为客户提供高品质、高性能、高可靠性的半导体产品和解决方案,涵盖存储器、系统LSI、芯片等领域。 三星半导体拥有先进的生产设备和技术,以及一支专业的研发团队,能够为客户提供定制化的半导体解决方案。公司的产品广泛应用于电子、通信、计算机、汽车、医疗等领域,为客户提供高效、可靠、安全的半导体产品和服务。 作为全球领先的半导体制造商,三星半导体一直处于技术创新的前沿。公司不断投入研发,推出了一系列领先的半导体产品和解决方案,如高速存储器、高性能处理器、低功耗芯片等,为客户提