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位置：首页 > IC中文资料第5120页 > SPD02N60C3

SPD02N60C3价格

参考价格：￥2.5832

型号：SPD02N60C3 品牌：Infineon 备注：这里有SPD02N60C3多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SPD02N60C3批发/采购报价，SPD02N60C3行情走势销售排行榜，SPD02N60C3报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SPD02N60C3

CoolMOSPowerTransistor

CoolMOS™PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPD02N60C3

N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRITION •Ultraloweffectivecapacitance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤3Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
SPD02N60C3

N-Channel650V(D-S)MOSFET

FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
SPD02N60C3

CoolMOSPowerTransistor

文件：1.22437 Mbytes Page：13 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPD02N60C3

CoolMOSPowerTransistor

文件：1.01922 Mbytes Page：13 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPD02N60C3_05

CoolMOSPowerTransistor

文件：1.22437 Mbytes Page：13 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPD02N60C3_08

CoolMOSPowerTransistor

文件：1.01922 Mbytes Page：13 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
ISPD02N60C3

N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRITION •Ultraloweffectivecapacitance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤3Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
ISPP02N60C3

N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤3Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
SPB02N60C3

CoolMOSPowerTransistor

Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPB02N60C3

CoolMOSPowerTransistor

Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplications

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
02N60C3

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件：1.71683 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

SPD02N60C3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPD02N60C3

  • 功能描述

    MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V 1.8A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

SPD02N60C3供应商更多...

更新时间：2024-4-19 9:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市恒意法电子有限公司
SPD02N60C3
INFINEON
21+
DPAK
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SPD02N60C3
INFINEON/英飞凌
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SPD02N60C3MOS(场效应管)
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SPD02N60C3
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SPD02N60C3
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