位置:首页 > IC中文资料第2649页 > SI4892DY
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SI4892DY | N-Channel30-V(D-S)MOSFET 文件:71.82 Kbytes Page:4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | ||
N-Channel20V(D-S)MOSFET 文件:1.00717 Mbytes Page:9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | |||
100VDualN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAO4892usestrenchMOSFETtechnologythatisuniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequencyswitchingperformance.BothconductionandswitchingpowerlossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationofRDS(ON),CissandCoss.Thisdeviceisideal | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体 | |||
DualN-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=100V ●ID=4A(VGS=10V) ●RDS(ON) | KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司 | |||
DualN-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=100V ●ID=4A(VGS=10V) ●RDS(ON) | KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司 | |||
StackableDoubleBananaPlugwithCableGuide 文件:84.51 Kbytes Page:1 Pages | POMONA Pomona Electronics | |||
DualN-Channel150-V(D-S)MOSFET 文件:363.04 Kbytes Page:5 Pages | AnalogPower Analog Power |
SI4892DY产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI4892DY
- 功能描述
MOSFET 30V 12.4A 3.1W
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VISHAY/威世 |
新年份 |
SOP-8 |
2500 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
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VISHAY/威世 |
22+ |
SOIC-8 |
48953 |
郑重承诺只做原装进口货 |
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VISHAY |
23+24 |
SO-8 |
29840 |
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管 |
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VISHAY |
2006 |
SOP-8 |
4100 |
低价支持实单!全新现货! |
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VISHAY/威世 |
2020+ |
SOIC-8 |
3300 |
全新原装现货,一片也是批量价。 |
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VISHAY |
ROHS+Original |
NA |
728 |
专业电子元器件供应链/QQ 350053121 /正纳电子 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
LQFP176 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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VISHAY |
23+ |
NA |
19854 |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理QQ1304306553 |
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VISHAY |
22+ |
SOIC-8 |
2000 |
原装现货库存.价格优势 |
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VISHAY/威世 |
SOP8 |
7906200 |
SI4892DY规格书下载地址
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- SI510
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SI4894DY-T1-E3
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2020-9-9SI4835DDY-T1-E3
产品属性属性值搜索类似 制造商:Vishay 产品种类:MOSFET RoHS:详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:SO-8 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1Channel Id-连续漏极电流:-13A Vgs-栅极-源极电压:25V Qg-栅极电荷:65nC 最小工作温度:-55C 最大工作温度:+150C
2020-7-13SI4835DDY-T1-E3
TO-92-3MOSFET,DFN-580VMOSFET,38A400VMOSFET,SO-8N-Channel20A30VMOSFET,SMD/SMT1ChannelP-Channel20VMOSFET,SOT-23-3SMD/SMT1ChannelN-Channel200VMOSFET
2020-7-13SI4894BDY-T1-GE3原装正品现货供应
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2019-12-27SI4816BDY-T1-GE3公司全新原装现货
瀚佳科技(深圳)有限公司专业进口电子元器件代理商
2019-9-12SI4892DY-T1公司全新原装现货
瀚佳科技(深圳)有限公司专业进口电子元器件代理商
2019-8-29
DdatasheetPDF页码索引
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