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D1NC60	N-CHANNEL600V-7ohm-1.4A-DPAK/IPAKPowerMesh?줚IMOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH™IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=7	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STD1NC60	N-CHANNEL600V-7ohm-1.4A-DPAK/IPAKPowerMesh?줚IMOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH™IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=7	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STN1NC60	N-CHANNEL600V-12ohm-0.3A-SOT-223PowerMesh?줚IMOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH™IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=12	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STQ1NC60R	N-CHANNEL600V-12ohm-0.3ATO-92PowerMESH?줚IPowerMOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™IIprocess,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)per	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STD1NC60	N-Channel650V(D-S)MOSFET 文件：1.088 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

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更新时间：2024-4-19 20:00:01

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https://hch01.114ic.com/
2020-11-13
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