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RFPA3809TR13中文资料

厂家型号

RFPA3809TR13

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2703.1Kbytes

页面数量

11

功能描述

GaAs HBT 400MHz TO 2700MHz POWER AMPLIFIER

IC AMP HBT GAAS PWR SOIC-8

数据手册

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生产厂商

RF Micro Devices

简称

RFMD

中文名称

官网

LOGO

RFPA3809TR13产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RFPA3809TR13

  • 制造商

    RF Micro Devices Inc

  • 功能描述

    IC AMP HBT GAAS PWR SOIC-8

更新时间:2024-5-7 15:59:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RFMD
2020+
5500
原装现货/假一罚十/可开增票
RFMD
17+
SMD
5500
RFMD专营原装现货优势热卖
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23+
SOP-8
35668
射频放大器RFPA3809TR13 是专为无线基础设施应用而设计的GaAs HBT线性功率放大器。射频放大器RFPA3809TR13 该高性能单级放大器采用高可靠的GaAs HBT制造工艺,在宽频率范围内实现超高线性。它还提供了低噪声的数字,使它成为一个优秀的解决方案的第二和第三阶段的rna。射频放
RFMD
2017+
正品包装
12500
深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增
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2021+
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只有原装正品
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16+
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2000
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RF Micro Devices

中文资料: 4112条

美国RFMicroDevices公司china/beijing:RFMDCO.,LTD美国RFMD芯片公司RFMicroDevices成立于1991,总公司座落在北卡罗来纳州(Greensboro,NC),1997年于NASDAQ上市。每年平均研发支出占总营业额约25%,由一群射频设计之专业研发团队所成立,设计工程师专精在无线通讯领域都具备相当完整射频集成电路(RFIntegrateCircuit)设计经验平均年资超过25年以上,设计工程师占全公司总人数28%目前约1400人。并且它也拥有多项专精制程技术,例如:AlGaAs、HBTSiGe、BiCMOS、GaN、GaAspHEMT、InGaP