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RFPA3809TR13中文资料
RFPA3809TR13产品属性
- 类型
描述
- 型号
RFPA3809TR13
- 制造商
RF Micro Devices Inc
- 功能描述
IC AMP HBT GAAS PWR SOIC-8
更新时间:2024-5-7 15:59:00
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RFMD |
2020+ |
5500 |
原装现货/假一罚十/可开增票 |
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RFMD |
17+ |
SMD |
5500 |
RFMD专营原装现货优势热卖 |
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RFMD |
23+ |
SOP-8 |
35668 |
射频放大器RFPA3809TR13 是专为无线基础设施应用而设计的GaAs HBT线性功率放大器。射频放大器RFPA3809TR13 该高性能单级放大器采用高可靠的GaAs HBT制造工艺,在宽频率范围内实现超高线性。它还提供了低噪声的数字,使它成为一个优秀的解决方案的第二和第三阶段的rna。射频放 |
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RFMD |
2017+ |
正品包装 |
12500 |
深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增 |
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RFMD |
2017+ |
SMD |
1585 |
只做原装正品假一赔十! |
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RFMD |
2021+ |
N/A |
6800 |
只有原装正品 |
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RFMD |
16+ |
NA |
2000 |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
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RFMD |
22+ |
SOP8 |
360000 |
进口原装房间现货实库实数 |
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RFMD |
20+ |
SOP-8 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
RFMD |
18+ |
RFMD |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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Datasheet数据表PDF页码索引
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RF Micro Devices
美国RFMicroDevices公司china/beijing:RFMDCO.,LTD美国RFMD芯片公司RFMicroDevices成立于1991,总公司座落在北卡罗来纳州(Greensboro,NC),1997年于NASDAQ上市。每年平均研发支出占总营业额约25%,由一群射频设计之专业研发团队所成立,设计工程师专精在无线通讯领域都具备相当完整射频集成电路(RFIntegrateCircuit)设计经验平均年资超过25年以上,设计工程师占全公司总人数28%目前约1400人。并且它也拥有多项专精制程技术,例如:AlGaAs、HBTSiGe、BiCMOS、GaN、GaAspHEMT、InGaP