位置:RF5263WMPCK-410 > RF5263WMPCK-410详情
RF5263WMPCK-410中文资料
RF5263WMPCK-410产品属性
- 类型
描述
- 型号
RF5263WMPCK-410
- 制造商
RFMD
- 制造商全称
RF Micro Devices
- 功能描述
3.3V TO 5.0V, 2.5GHz LINEAR POWER AMPLIFIER
更新时间:2024-5-21 16:36:00
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RFMD |
22+ |
12500 |
原装正品现货 |
||||
RFMD |
23+ |
N/A |
7560 |
原厂原装 |
|||
RFMD |
22+ |
QFN32 |
1500 |
原装现货假一赔十 |
|||
RFMD |
2021+ |
QFN32 |
3000 |
十年专营原装现货,假一赔十 |
|||
RFMD |
23+ |
2545 |
原厂原装正品 |
||||
RFMD |
22+ |
QFN32 |
12800 |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
|||
RFMD |
2023+ |
假一赔十 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
|||
RFMD |
14+ |
假一赔十 |
145 |
全新原装 实单必成 |
|||
RFMD |
2023+ |
假一赔十 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
RFMD |
MCM |
3688 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
RF5263WMPCK-410 资料下载更多...
RF5263WMPCK-410 芯片相关型号
- C0201C103C2GC
- C0402C123C2GC
- C0603C109B5UAC
- C0805A301M1GAH
- C0805A471M1GAH
- C1206C110GZGAC
- C1210C120GZGAC
- C1210Z309J1XAH
- C1812C120GZGAC
- C1825C100GZGAC
- C1825Z229J1XAH
- C317C109D1U5HA
- C317C479D1U5HA
- C412C569J2G5HA
- C522C339D5G5CA
- CDR02BX101BDSR
- CDR06BX101BDSR
- CDR06BX129ADSR
- RF5187PCBA-41X
- RF5222
- RF5300
- T409A105K020PB4250
- T493A227M006CH6230
- T493C227J006BH6230
- T498A105K006AGE500
- T498C336K006AGE500
- T498D336K006AGE500
- T499X156K010AGE500
- XC6107D320
- XC6111D320
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
RF Micro Devices
美国RFMicroDevices公司china/beijing:RFMDCO.,LTD美国RFMD芯片公司RFMicroDevices成立于1991,总公司座落在北卡罗来纳州(Greensboro,NC),1997年于NASDAQ上市。每年平均研发支出占总营业额约25%,由一群射频设计之专业研发团队所成立,设计工程师专精在无线通讯领域都具备相当完整射频集成电路(RFIntegrateCircuit)设计经验平均年资超过25年以上,设计工程师占全公司总人数28%目前约1400人。并且它也拥有多项专精制程技术,例如:AlGaAs、HBTSiGe、BiCMOS、GaN、GaAspHEMT、InGaP