位置:RF5110G_07 > RF5110G_07详情
RF5110G_07中文资料
RF5110G_07产品属性
- 类型
描述
- 型号
RF5110G_07
- 制造商
RFMD
- 制造商全称
RF Micro Devices
- 功能描述
3V GSM POWER AMPLIFIER
更新时间:2024-5-10 10:50:00
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RFMD |
22+ |
QFN |
12500 |
原装正品现货 |
|||
RFMD |
20+ |
射频元件 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
RFMD |
18+ |
QFN16 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
RFMD |
20+ |
QFN |
19570 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
RFMD |
2021+ |
QFN |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
RFMD |
21+ |
QFN |
1356 |
绝对有现货,不止网上数量!原装正品,假一赔十! |
|||
RFMD |
22+ |
QFN |
28600 |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
|||
RFMD |
21+ |
QFN |
5000 |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
|||
RFMD |
21+ |
QFN |
5000 |
全新原装现货 价格优势 |
|||
RFMD |
11+ |
QFN |
31 |
原装/现货 |
RF5110G_07 资料下载更多...
RF5110G_07 芯片相关型号
- AK45C-048L-050F20HAN-6
- AME8838AEET300Y
- AME8838AEEV285Y
- AME8838AEIT300Y
- AME8838BEET300Y
- AME8838BEIU285Y
- AWO25F24-S
- JQ104E
- JQ104EAS100B
- JQX-13F2BBDC48V1D
- JQX-14FC2AS10ADC240.83.5
- JZC-22FFC15DDC48V
- KL2A101LR
- KP1J101LR
- LM339APWRE4
- LM339DG4
- LZ1H470LR
- LZ2G330LR
- MS1530004-A
- NT73-3BD5DC24V
- NT73-3CD20DC18V
- NT90H1BEDC9V
- NT90TNLAEDC9VC
- NT90TPNLBEDC12VC
- NT90TPNLCDDC12VC
- NTE7168
- S29GL256M10FAIR22
- S29GL256M10TAIR13
- SN54ABT16823
- TLP320_07
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
RF Micro Devices
美国RFMicroDevices公司china/beijing:RFMDCO.,LTD美国RFMD芯片公司RFMicroDevices成立于1991,总公司座落在北卡罗来纳州(Greensboro,NC),1997年于NASDAQ上市。每年平均研发支出占总营业额约25%,由一群射频设计之专业研发团队所成立,设计工程师专精在无线通讯领域都具备相当完整射频集成电路(RFIntegrateCircuit)设计经验平均年资超过25年以上,设计工程师占全公司总人数28%目前约1400人。并且它也拥有多项专精制程技术,例如:AlGaAs、HBTSiGe、BiCMOS、GaN、GaAspHEMT、InGaP