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RF2363_06中文资料

厂家型号

RF2363_06

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198.2Kbytes

页面数量

10

功能描述

DUAL-BAND 3V LOW NOISE AMPLIFIER

数据手册

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生产厂商

RF Micro Devices

简称

RFMD

中文名称

官网

LOGO

RF2363_06产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RF2363_06

  • 制造商

    RFMD

  • 制造商全称

    RF Micro Devices

  • 功能描述

    DUAL-BAND 3V LOW NOISE AMPLIFIER

更新时间:2024-4-28 13:38:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RFMD
22+
QFN
12500
原装正品现货
RFMD
2339+
SOT23-8
5989
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!
RFMD
2022+
SOT23-8
5000
全现原装公司现货
RFMD
23+
SOT23-8
8650
受权代理!全新原装现货特价热卖!
RFMD
2017+
SMD
1585
只做原装正品假一赔十!
RFMD
20+
SOT23-8
49000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
RFMD
2022+
SOT23-8
5345
授权代理分销商,现货库存可持续供货!
RFMD
22+
SOT23-8
25000
只有原装原装,支持BOM配单
RFMD
21+
SOT23-5
65200
一级代理/放心采购
RFMD
21+
SOT23-5
20000
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票

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RF Micro Devices

中文资料: 4112条

美国RFMicroDevices公司china/beijing:RFMDCO.,LTD美国RFMD芯片公司RFMicroDevices成立于1991,总公司座落在北卡罗来纳州(Greensboro,NC),1997年于NASDAQ上市。每年平均研发支出占总营业额约25%,由一群射频设计之专业研发团队所成立,设计工程师专精在无线通讯领域都具备相当完整射频集成电路(RFIntegrateCircuit)设计经验平均年资超过25年以上,设计工程师占全公司总人数28%目前约1400人。并且它也拥有多项专精制程技术,例如:AlGaAs、HBTSiGe、BiCMOS、GaN、GaAspHEMT、InGaP