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R1005250L中文资料

厂家型号

R1005250L

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3

功能描述

25dB Reverse Hybrid 5MHz to 100MHz (Low Current)

Si Reverse, low current, 5 - 100MHz, 25.4dB typ. Gain @ 100MHz, 140mA max. @ 24VDC

数据手册

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生产厂商

RF Micro Devices

简称

RFMD

中文名称

官网

LOGO

R1005250L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    R1005250L

  • 制造商

    PDI

  • 制造商全称

    PDI

  • 功能描述

    Si Reverse, low current, 5 - 100MHz, 25.4dB typ. Gain @ 100MHz, 140mA max. @ 24VDC

更新时间:2024-5-16 10:53:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RFMD
2018+
SMD
5500
长期供应原装现货实单可谈
RFMD
SOT115J
3688
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
RFMD
23+
N/A
7560
原厂原装
RFMD
21+
N/A
50000
全新原装现货热卖
RFMD
22+
NA
100
只做原装,价格优惠,长期供货。
RFMD
2020+
N/A
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
RFMD
22+
N/A
28600
只做原装正品现货假一赔十一级代理
RFMD
2022+
NA
8600
原装正品,欢迎来电咨询!
RFMD
23+
SOT115J
10880
原装正品,支持实单
RFMD
13+
N/A
50
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

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RF Micro Devices

中文资料: 4112条

美国RFMicroDevices公司china/beijing:RFMDCO.,LTD美国RFMD芯片公司RFMicroDevices成立于1991,总公司座落在北卡罗来纳州(Greensboro,NC),1997年于NASDAQ上市。每年平均研发支出占总营业额约25%,由一群射频设计之专业研发团队所成立,设计工程师专精在无线通讯领域都具备相当完整射频集成电路(RFIntegrateCircuit)设计经验平均年资超过25年以上,设计工程师占全公司总人数28%目前约1400人。并且它也拥有多项专精制程技术,例如:AlGaAs、HBTSiGe、BiCMOS、GaN、GaAspHEMT、InGaP