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GN1A3Q中文资料
GN1A3Q产品属性
- 类型
描述
- 型号
GN1A3Q
- 制造商
NEC
- 制造商全称
NEC
- 功能描述
MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR MINI MOLD
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
21+ |
SOT323 |
56000 |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
|||
RENESAS |
21+ |
SOT323 |
6000 |
原装现货假一赔十 |
|||
RENESAS |
22+ |
SOT323 |
32350 |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
|||
RENESAS |
22+ |
SOT323 |
8000 |
原厂原装,实单加微信 |
|||
RENESAS |
22+ |
SOT323 |
5986 |
只做原装,支持实单,来电咨询。 |
|||
RENESAS |
2242+ |
SOT323 |
5986 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
|||
RENESAS |
23+ |
SOT323 |
63000 |
原装正品现货 |
|||
NEC |
22+ |
SOT323 |
600000 |
航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴! |
|||
NEC |
2008++ |
SOT-323 |
252300 |
新进库存/原装 |
|||
NEC |
13+ |
SOT-323 |
7500 |
特价热销现货库存 |
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- B1701IR
- B1701IR--20C-000114
- B1701IRP
- B1701IRP-20C-000214
- GN1A4M
- HI-201
- HI-201HS
- HS1-139RH-Q
- IW3612
- IW3612-00
- IW3612-01
- NCE0102
- NCE0102E
- P25T22L
- P25T22LA-SSH-IR
- P25T22LA-SSH-IT
- P25T22LA-SSH-IW
- P25T22LA-SSH-IY
- P25T22LA-SUH-IR
- P25T22LA-SUH-IT
- P25T22LA-SUH-IW
- UP6281B8
- VBM1105_V01
- VBM1105S
GN1A3Q 晶体管资料
GN1A3Q别名:GN1A3Q三极管、GN1A3Q晶体管、GN1A3Q晶体三极管
GN1A3Q生产厂家:NEC
GN1A3Q制作材料:Si-P+R
GN1A3Q性质:中速 (MS)_开关管 (SW)
GN1A3Q封装形式:贴片封装
GN1A3Q极限工作电压:60V
GN1A3Q最大电流允许值:0.1A
GN1A3Q最大工作频率:<1MHZ或未知
GN1A3Q引脚数:3
GN1A3Q最大耗散功率:0.15KW
GN1A3Q放大倍数:
GN1A3Q图片代号:H-15
GN1A3Qvtest:60
GN1A3Qhtest:999900
- GN1A3Qatest:.1
GN1A3Qwtest:150
GN1A3Q代换 GN1A3Q用什么型号代替:DTA113ZU,
Datasheet数据表PDF页码索引
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Renesas Electronics America 瑞萨科技有限公司
(RENESAS)于2003年4月1日—由日立制作所半导体部门和三菱电机半导体部门合并成立。RENESAS结合了日立与三菱在半导体领域方面的先进技术和丰富经验,是无线网络、汽车、消费与工业市场设计制造嵌入式半导体的全球领先供应商。创立日期2003年4月1日公司法人董事长&CEO伊藤达业务范围单片机逻辑模拟等的系统LSI、分立半导体元件、SRAM等的存储器开发、设计、制造、销售、服务的提供。集团成员44家公司(日本20家,日本以外24家)年度销售额2006财年(截止至2007年3月):9526亿日元(约83亿美元)从业人员:26000人(全世界20个国家、43家公司)瑞萨科技是世界十大半导体芯片