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BA3L4Z中文资料
更新时间：2024-5-9 9:30:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
2500 |
||||||
NEC |
TO-92S(TP |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
华微 |
23+ |
TO-220MF |
50000 |
华微功率器件全系列供应,支持终端生产 |
|||
Eaton |
22+ |
NA |
168 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
|||
HONEYWELL |
20+ |
开关元件 |
96 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
BRIGHT |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
Honeywell |
新 |
28 |
全新原装 货期两周 |
||||
23+ |
N/A |
46580 |
正品授权货源可靠 |
||||
Honeywell |
2022+ |
24 |
全新原装 货期两周 |
||||
HONEYWELL/霍尼韦尔 |
23+ |
98000 |
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- CG102J12-S205-HQF-8
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- CG102J12-S205-P-QF-8
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- MTFDKBZ3T2TFS-1BC15AB
- MTFDKBZ3T2TFS-1BC1DAB
- MTFDKBZ3T2TFS-1BC1EAB
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BA3L4Z 晶体管资料
BA3L4Z别名：BA3L4Z三极管、BA3L4Z晶体管、BA3L4Z晶体三极管
BA3L4Z生产厂家：
BA3L4Z制作材料：Si-N+R
BA3L4Z性质：INT_EMITTER_DI
BA3L4Z封装形式：
BA3L4Z极限工作电压：30V
BA3L4Z最大电流允许值：0.02A
BA3L4Z最大工作频率：<1MHZ或未知
BA3L4Z引脚数：
BA3L4Z最大耗散功率：
BA3L4Z放大倍数：
BA3L4Z图片代号：NO
BA3L4Zvtest：30
BA3L4Zhtest：999900
- BA3L4Zatest：.02
BA3L4Zwtest：0
BA3L4Z代换 BA3L4Z用什么型号代替：
RENESAS相关电路图
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Renesas Electronics America 瑞萨科技有限公司
中文资料: 108956条
(RENESAS)于2003年4月1日—由日立制作所半导体部门和三菱电机半导体部门合并成立。RENESAS结合了日立与三菱在半导体领域方面的先进技术和丰富经验，是无线网络、汽车、消费与工业市场设计制造嵌入式半导体的全球领先供应商。创立日期2003年4月1日公司法人董事长&CEO伊藤达业务范围单片机逻辑模拟等的系统LSI、分立半导体元件、SRAM等的存储器开发、设计、制造、销售、服务的提供。集团成员44家公司（日本20家，日本以外24家）年度销售额2006财年（截止至2007年3月）:9526亿日元（约83亿美元）从业人员：26000人（全世界20个国家、43家公司）瑞萨科技是世界十大半导体芯片
