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RN2008晶体管资料
RN2008别名:RN2008三极管、RN2008晶体管、RN2008晶体三极管
RN2008生产厂家:日本东芝公司
RN2008制作材料:Si-P+R
RN2008性质:
RN2008封装形式:直插封装
RN2008极限工作电压:50V
RN2008最大电流允许值:0.1A
RN2008最大工作频率:<1MHZ或未知
RN2008引脚数:3
RN2008最大耗散功率:0.4W
RN2008放大倍数:
RN2008图片代号:A-20
RN2008vtest:50
RN2008htest:999900
- RN2008atest:.1
RN2008wtest:.4
RN2008代换 RN2008用什么型号代替:AN1F4N,DTA124XS,KSR2007,
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
---|---|---|---|---|
RN2008 | Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●ComplementarytoRN1007~RN1009 | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 | ||
Floorboxsystem:2008A 文件:274.07 Kbytes Page:1 Pages | BURLANDBurland Technology Solutions 伯兰 | |||
Floorboxsystem:2008B 文件:260.04 Kbytes Page:1 Pages | BURLANDBurland Technology Solutions 伯兰 | |||
Floorboxsystem:2008Q 文件:646.16 Kbytes Page:1 Pages | BURLANDBurland Technology Solutions 伯兰 | |||
LowPhaseNoiseVCXOwithmultipliers(for100-200MHzFundXtal) 文件:93.36 Kbytes Page:8 Pages | ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯 | |||
LowPhaseNoiseVCXOwithmultipliers(for100-200MHzFundXtal) 文件:93.36 Kbytes Page:8 Pages | ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯 |
RN2008产品属性
- 类型
描述
- 型号
RN2008
- 制造商
TOSHIBA
- 制造商全称
Toshiba Semiconductor
- 功能描述
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TOSHIBA |
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SCHAFFNER |
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RoHSCompliant |
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SIP |
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RN4020-VRMBEC133
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2023-4-7RN1723-I/RM100
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2023-3-27RN 1/4W 1K F T/B A1
属性参数值 商品目录金属膜电阻 阻值(欧姆)1K 精度±1%_ 安装类型通孔 功率1/4W 温度系数±50ppm/°C属性参数值 商品目录金属膜电阻 阻值(欧姆)1K 精度±1%_ 安装类型通孔 功率1/4W 温度系数±50ppm/°C
2020-12-4RN2706JE
类别分立半导体产品 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 制造商ToshibaSemiconductorand_Storage 系列- 包装带卷(TR) 零件状态有源 晶体管类型2PNP-预偏压(双)(耦合发射器) 电流-集电极(Ic)(最大值)100mA 电压-集射极击穿(最大值)50V 电阻器-基极(R1)4.7千欧 电阻
2020-10-15RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装,假一罚十,可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14RN4984FE绝对原装正品现货
瀚佳科技(深圳)有限公司专业工厂一站式全套配单服务
2019-1-13
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