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ULN2003APWE4中文资料

功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:SOIC-18 封装:Reel
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更多ULN2003APWE4供应商 更新时间:2019/8/22 16:31:00

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