您好,欢迎来到114ic电子网旗下网站IC资料网!登录免费注册

IRC640中文资料

功能描述:MOSFET N-Chan 200V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 安装风格:Through Hole 封装/箱体:Max247 封装:Tube
  • 序号
  • 电子元器件名称
  • 功能描述
  • 生产厂家&企业
  • LOGO
  • 操作
  • IRC640供应商
  • 型号
  • 品牌
  • 批号
  • 封装
  • 库存
  • 备注
  • 价格
更多IRC640供应商 更新时间:2019/7/16 18:19:00

IRC640相关型号

温馨提示

IC资料网提示:当前您正浏览IRC640型号的PDF信息资料表,这里有IRC640二极管、三极管、IC、集成电路的PDF Datasheet中文资料及英文资料下载,为工厂电子研究所高校实验实的电子工程师设计电子产品的电路板、PCB线路板提供准确的IRC640电子零件电子元器件数据表和数据手册。

IC型号页码索引