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BUT12A中文资料

功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:PowerFLAT 2 x 2
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  • 2
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  • SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
  • WINGS
    Wing Shing Computer Components
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更多BUT12A供应商 更新时间:2019/7/21 18:38:00

BUT12A相关型号

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